ATTINY2313-20的供应信息|PDF资料|求购ATTINY2313-20上51电子网

ATTINY2313-20MU详细规格: 类别：嵌入式 - 微控制器，; 描述：IC MCU AVR 2K FLASH 20-QFN; 系列：AVR® ATtiny; 制造商：Atmel; 核心处理器：AVR; 核心尺寸：8-位; 速度：20MHz; 连接性：SPI，UART/USART; 外设：欠压检测/复位，POR，PWM，WDT; I/O数：18; 程序存储容量：2KB（1K x 16）; 程序存储器类型：闪存; EEPROM容量：128 x 8; RAM容量：128 x 8; 电压_电源333Vcc/Vdd444：2.7 V ~ 5.5 V; 数据转换器：-; 振荡器类型：内部; 工作温度：-40°C ~ 85°C; 封装/外壳：20-WFQFN 裸露焊盘; 包装：托盘

ATTINY2313-20MUR详细规格: 类别：嵌入式 - 微控制器，; 描述：IC MCU AVR 2K FLASH 20WQFN; 系列：AVR® ATtiny; 制造商：Atmel; 核心处理器：AVR; 核心尺寸：8-位; 速度：20MHz; 连接性：SPI，UART/USART; 外设：欠压检测/复位，POR，PWM，WDT; I/O数：18; 程序存储容量：2KB（1K x 16）; 程序存储器类型：闪存; EEPROM容量：128 x 8; RAM容量：128 x 8; 电压_电源333Vcc/Vdd444：2.7 V ~ 5.5 V; 数据转换器：-; 振荡器类型：内部; 工作温度：-40°C ~ 85°C; 封装/外壳：20-WFQFN 裸露焊盘; 包装：带卷 (TR)

ATTINY2313-20PI详细规格: 类别：嵌入式 - 微控制器，; 描述：IC MCU AVR 2K FLASH 20DIP; 系列：AVR® ATtiny; 制造商：Atmel; 核心处理器：AVR; 核心尺寸：8-位; 速度：20MHz; 连接性：SPI，UART/USART; 外设：欠压检测/复位，POR，PWM，WDT; I/O数：18; 程序存储容量：2KB（1K x 16）; 程序存储器类型：闪存; EEPROM容量：128 x 8; RAM容量：128 x 8; 电压_电源333Vcc/Vdd444：2.7 V ~ 5.5 V; 数据转换器：-; 振荡器类型：内部; 工作温度：-40°C ~ 85°C; 封装/外壳：20-DIP（0.300"，7.62mm）; 包装：管件

ATTINY2313-20PJ详细规格: 类别：嵌入式 - 微控制器，; 描述：IC MCU AVR 2K FLASH 20DIP; 系列：AVR® ATtiny; 制造商：Atmel; 核心处理器：AVR; 核心尺寸：8-位; 速度：20MHz; 连接性：SPI，UART/USART; 外设：欠压检测/复位，POR，PWM，WDT; I/O数：18; 程序存储容量：2KB（1K x 16）; 程序存储器类型：闪存; EEPROM容量：128 x 8; RAM容量：128 x 8; 电压_电源333Vcc/Vdd444：2.7 V ~ 5.5 V; 数据转换器：-; 振荡器类型：内部; 工作温度：-40°C ~ 85°C; 封装/外壳：20-DIP（0.300"，7.62mm）; 包装：管件

ATTINY2313-20PU详细规格: 类别：嵌入式 - 微控制器，; 描述：IC MCU AVR 2K FLASH 20DIP; 系列：AVR® ATtiny; 制造商：Atmel; 核心处理器：AVR; 核心尺寸：8-位; 速度：20MHz; 连接性：SPI，UART/USART; 外设：欠压检测/复位，POR，PWM，WDT; I/O数：18; 程序存储容量：2KB（1K x 16）; 程序存储器类型：闪存; EEPROM容量：128 x 8; RAM容量：128 x 8; 电压_电源333Vcc/Vdd444：2.7 V ~ 5.5 V; 数据转换器：-; 振荡器类型：内部; 工作温度：-40°C ~ 85°C; 封装/外壳：20-DIP（0.300"，7.62mm）; 包装：管件

ATTINY2313-20SI详细规格: 类别：嵌入式 - 微控制器，; 描述：IC MCU AVR 2K FLASH 20SOIC; 系列：AVR® ATtiny; 制造商：Atmel; 核心处理器：AVR; 核心尺寸：8-位; 速度：20MHz; 连接性：SPI，UART/USART; 外设：欠压检测/复位，POR，PWM，WDT; I/O数：18; 程序存储容量：2KB（1K x 16）; 程序存储器类型：闪存; EEPROM容量：128 x 8; RAM容量：128 x 8; 电压_电源333Vcc/Vdd444：2.7 V ~ 5.5 V; 数据转换器：-; 振荡器类型：内部; 工作温度：-40°C ~ 85°C; 封装/外壳：20-SOIC（0.295"，7.50mm 宽）; 包装：管件

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薄膜 EPCOS Inc 径向 CAP FILM 4700PF 2KVDC RADIAL
C1005C0G1H910J
陶瓷 TDK Corporation 0402（1005 公制） CAP CER 91PF 50V 5% NP0 0402
ATTINY20-MMH
嵌入式 - 微控制器， Atmel 20-VFQFN 裸露焊盘 MCU AVR 2KB FLASH 12MHZ 20QFN
5-640621-1
矩形 - 自由悬挂，面板安装 TE Connectivity 20-VFQFN 裸露焊盘 21P MTA100 CONN ASSY F/T NATL
C0805C470KBRACTU
陶瓷 Kemet 0805（2012 公制） CAP CER 47PF 630V 10% X7R 0805
B41042A4827M
电容器 EPCOS Inc 820UF 16V 10X25 SINGLE END
564R30GAD10PM
陶瓷 Vishay BC Components 径向，圆盘 CAP CER 1000PF 3KV 20% RADIAL
B43501B2128M80
电容器 EPCOS Inc AL-ELKO SNAP IN 1200UF 250V
C1005C0G1H910J
陶瓷 TDK Corporation 0402（1005 公制） CAP CER 91PF 50V 5% NP0 0402
5-640621-7
矩形 - 自由悬挂，面板安装 TE Connectivity 20-SOIC（0.295"，7.50mm 宽） 27P MTA100 FD THR ASSY NAT
C0805C470M1GACTU
陶瓷 Kemet 0805（2012 公制） CAP CER 47PF 100V 20% NP0 0805
B41042A5128M
电容器 EPCOS Inc 1200UF 25V 12.5X25 SINGLE END
564R30GAD20
陶瓷 Vishay BC Components 径向，圆盘 CAP CER 2000PF 3KV 20% RADIAL
B43501B2128M87
电容器 EPCOS Inc AL-ELKO SNAP IN 1200UF 250V
B32652A3104J
薄膜 EPCOS Inc 径向 CAP FILM 0.1UF 250VDC RADIAL