APT42F50B详细规格
- 类别：FET - 单
- 描述：MOSFET N-CH 500V 42A TO-247
- 系列：POWER MOS 8™
- 制造商：Microsemi Power Products Group
- FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物
- FET特点：标准
- 漏极至源极电压333Vdss444：500V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C：42A
- 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：140 毫欧 @ 21A，10V
- Id时的Vgs333th444（最大）：5V @ 1mA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs：170nC @ 10V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds：6810pF @ 25V
- 功率_最大：624W
- 安装类型：通孔
- 封装/外壳：TO-247-3
- 供应商设备封装：TO-247 [B]
- 包装：管件
- 配件 Omron Electronics Inc-IA Div 0603（1608 公制） SPECIAL ENGRAVING
- 配件 Omron Electronics Inc-IA Div 0603（1608 公制） I-O-II
- FET Microsemi Power Products Group SOT-227-4，miniBLOC MOSFET N-CH 600V 40A SOT-227
- PMIC - 稳压器 - DC DC 切换控制器 Diodes Inc 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） IC REG CTRLR BUCK PWM 8-SOIC
- 矩形 TE Connectivity 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） ADM64S/AE64M/X
- 按钮 Omron Electronics Inc-IA Div 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） SWITCH PUSH DPST-NO 10A 110V
- 配件 Omron Electronics Inc-IA Div 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） SPECIAL ENGRAVING
- 配件 Omron Electronics Inc-IA Div 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） I-II
- 芯片电阻 - 表面安装 Yageo 0603（1608 公制） RES 267K OHM 1/10W 1% 0603 SMD
- 芯片电阻 - 表面安装 Yageo 0805（2012 公制） RES 5.76K OHM 1/8W .5% SMD 0805
- 矩形 TE Connectivity 0805（2012 公制） ADM64S/AE64M/X
- 按钮 Omron Electronics Inc-IA Div 0805（2012 公制） SWITCH PUSH DPST-NC 10A 110V
- 配件 Omron Electronics Inc-IA Div 0805（2012 公制） JOG
- 配件 Omron Electronics Inc-IA Div 0805（2012 公制） I-O-I
- 芯片电阻 - 表面安装 Yageo 0603（1608 公制） RES 270 OHM 1/10W 5% 0603 SMD
0755-82561519 
0755-23612326 
0755- 8251939 
0755-88917652 
0755-82561519 
0755-82578309 
0755-89697985 
0755-88291559 
0755-83223003 
0755-82569753 
0755-22655674 
0755-82574045 
0755-82522939 
0755-23915992 
0755-/8321846 
0755-23140719 
