7-1879688-1 全国供应商、价格、PDF资料
7-1879688-1详细规格
- 类别：通孔电阻器
- 描述：RES 576 OHM 1/2W 0.1% AXIAL
- 系列：H4, Holsworthy
- 制造商：TE Connectivity
- 电阻333Ω444：576
- 功率333W444：0.5W，1/2W
- 成分：金属薄膜
- 特性：脉冲耐受
- 温度系数：±100ppm/°C
- 容差：±0.1%
- 封装/外壳：轴向
- 供应商器件封装：轴向
- 大小/尺寸：0.146" 直径 x 0.394" L（3.70mm x 10.00mm）
- 高度：-
- 端子数：2
- 包装：散装
- 陶瓷 Kemet 0805（2012 公制） CAP CER 0.015UF 25V 5% X7R 0805
- 电容器 EPCOS Inc 4700UF 80V 35X40 SNAP IN
- 陶瓷 Kemet 0805（2012 公制） CAP CER 3.9PF 50V NP0 0805
- 通孔电阻器 TE Connectivity 轴向 RES 52.3 OHM 1/2W 0.1% AXIAL
- PMIC - 电池管理 Texas Instruments 6-WDFN 裸露焊盘 IC BATT/PROT 2-3CELL LIION 6SON
- 薄膜 Vishay BC Components 径向 CAP FILM 0.022UF 2KVDC RADIAL
- FET - 单 Infineon Technologies TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 MOSFET N-CH 60V 230MA SOT-23
- 陶瓷 Kemet 径向 CAP CER 22PF 200V 5% RADIAL
- 陶瓷 Kemet 0805（2012 公制） CAP CER 0.015UF 50V 5% X7R 0805
- 陶瓷 Kemet 0805（2012 公制） CAP CER 3.9PF 50V NP0 0805
- PMIC - 电池管理 Texas Instruments 8-WFDFN 裸露焊盘 IC BATT PROT 2-4CELL LIION 8WSON
- 薄膜 Vishay BC Components 径向 CAP FILM 2400PF 2KVDC RADIAL
- 陶瓷 Kemet 径向 CAP CER 2200PF 100V 5% RADIAL
- FET - 单 Infineon Technologies TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 MOSFET N-CH 60V 230MA SOT-23
- 电容器 EPCOS Inc 2200UF 100V 30X40 SNAP IN
