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2SK3301(Q)详细规格: 类别：FET - 单; 描述：MOSFET N-CH 900V 1A PW-MOLD; 系列：-; 制造商：Toshiba; FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物; FET特点：标准; 漏极至源极电压333Vdss444：900V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：1A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：20 欧姆 @ 500mA，10V; Id时的Vgs333th444（最大）：3.4V @ 1mA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：6nC @ 10V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：165pF @ 25V; 功率_最大：20W; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63; 供应商设备封装：PW-MOLD; 包装：管件

2SK3301(TE16L1,NQ)详细规格: 类别：FET - 单; 描述：MOSFET N-CH 900V 1A PW-MOLD; 系列：-; 制造商：Toshiba; FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物; FET特点：标准; 漏极至源极电压333Vdss444：900V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：1A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：20 欧姆 @ 500mA，10V; Id时的Vgs333th444（最大）：3.4V @ 1mA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：6nC @ 10V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：165pF @ 25V; 功率_最大：20W; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63; 供应商设备封装：PW-MOLD; 包装：带卷 (TR)

2SK3309(Q)详细规格: 类别：FET - 单; 描述：MOSFET N-CH 450V 10A TO220FL; 系列：-; 制造商：Toshiba; FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物; FET特点：标准; 漏极至源极电压333Vdss444：450V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：10A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：650 毫欧 @ 5A，10V; Id时的Vgs333th444（最大）：5V @ 1mA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：23nC @ 10V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：920pF @ 10V; 功率_最大：65W; 安装类型：通孔; 封装/外壳：TO-220-3（SMT）标片; 供应商设备封装：TO-220FL; 包装：管件

2SK3309(TE24L,Q)详细规格: 类别：FET - 单; 描述：MOSFET N-CH 450V 10A TO220SM; 系列：-; 制造商：Toshiba; FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物; FET特点：标准; 漏极至源极电压333Vdss444：450V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：10A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：650 毫欧 @ 5A，10V; Id时的Vgs333th444（最大）：5V @ 1mA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：23nC @ 10V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：920pF @ 10V; 功率_最大：65W; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63; 供应商设备封装：TO-220SM; 包装：带卷 (TR)

2SK3313(Q)详细规格: 类别：FET - 单; 描述：MOSFET N-CH 500V 12A TO220NIS; 系列：-; 制造商：Toshiba; FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物; FET特点：标准; 漏极至源极电压333Vdss444：500V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：12A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：620 毫欧 @ 6A，10V; Id时的Vgs333th444（最大）：4V @ 1mA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：45nC @ 10V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：2040pF @ 10V; 功率_最大：40W; 安装类型：通孔; 封装/外壳：TO-220-3 整包; 供应商设备封装：TO-220NIS; 包装：散装

2SK3314详细规格: 类别：FET - 单; 描述：MOSFET N-CH 500V 15A TO-3PN; 系列：-; 制造商：Toshiba; FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物; FET特点：标准; 漏极至源极电压333Vdss444：500V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：15A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：490 毫欧 @ 7A，10V; Id时的Vgs333th444（最大）：4V @ 1mA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：58nC @ 10V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：2600pF @ 10V; 功率_最大：150W; 安装类型：通孔; 封装/外壳：TO-3P-3，SC-65-3; 供应商设备封装：TO-3P（N）; 包装：管件

37006300410
保险丝 Littelfuse Inc 径向，罐状，垂直 FUSE FAST 250VAC 630MA RADIAL
3429-600T02TC
矩形- 接头，公引脚 3M 径向，罐状，垂直 CONN HEADER 26POS STR NO LATCH
0757575401
矩形- 接头，公引脚 Molex Inc 径向，罐状，垂直 CONN HEADER 2X10 VERT BRKWAY TIN
1808AA102JATME
陶瓷 AVX Corporation 1808（4520 公制） CAP CER 1000PF 1KV 5% NP0 1808
2SK3313(Q)
FET - 单 Toshiba TO-220-3 整包 MOSFET N-CH 500V 12A TO220NIS
3700BL15B050E
平衡-不平衡变压器 Johanson Technology Inc 0805（2012 公制） BALUN CERAMIC CHIP WIMAX 3.7GHZ
3429-6202
矩形- 接头，公引脚 3M 0805（2012 公制） CONN HEADER 26PS STR SHORT LATCH
251R14S7R5BV4T
陶瓷 Johanson Technology Inc 0603（1608 公制） CAP CER 7.5PF 250V NP0 0603
1808AA122JAT1A
陶瓷 AVX Corporation 1808（4520 公制） CAP CER 1200PF 1KV 5% NP0 1808
3700BL15B200E
平衡-不平衡变压器 Johanson Technology Inc 0805（2012 公制） BALUN CERAMIC CHIP WIMAX 3.7GHZ
251R14S7R5DV4T
陶瓷 Johanson Technology Inc 0603（1608 公制） CAP CER 7.5PF 250V NP0 0603
3429-6203
矩形- 接头，公引脚 3M 0603（1608 公制） CONN HEADER 26PS STR SHORT LATCH
1808AA181KAT1A
陶瓷 AVX Corporation 1808（4520 公制） CAP CER 180PF 1KV 10% NP0 1808
0757830029
可插式 Molex Inc 1808（4520 公制） CONN RCPT IPASS R/A 26POS SMD
2SK3371(TE16L1,NQ)
FET - 单 Toshiba TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 MOSFET N-CH 600V 1A PW-MOLD

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