

2SK2914(F)详细规格
- 类别:FET - 单
- 描述:MOSFET N-CH 250V 7.5A TO-220AB
- 系列:-
- 制造商:Toshiba
- FET型:MOSFET N 通道,金属氧化物
- FET特点:逻辑电平门
- 漏极至源极电压333Vdss444:250V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C:7.5A
- 开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:500 毫欧 @ 3.5A,10V
- Id时的Vgs333th444(最大):3.5V @ 1mA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs:20nC @ 10V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds:700pF @ 10V
- 功率_最大:20W
- 安装类型:通孔
- 封装/外壳:TO-220-3
- 供应商设备封装:TO-220AB
- 包装:散装
2SK2915详细规格
- 类别:FET - 单
- 描述:MOSFET N-CH 600V 16A TO-3PN
- 系列:-
- 制造商:Toshiba
- FET型:MOSFET N 通道,金属氧化物
- FET特点:标准
- 漏极至源极电压333Vdss444:600V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C:16A
- 开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:400 毫欧 @ 8A,10V
- Id时的Vgs333th444(最大):4V @ 1mA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs:80nC @ 10V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds:3520pF @ 25V
- 功率_最大:150W
- 安装类型:通孔
- 封装/外壳:TO-3P-3,SC-65-3
- 供应商设备封装:TO-3P(N)
- 包装:管件
2SK2915(Q,T)详细规格
- 类别:FET - 单
- 描述:MOSFET N-CH 600V 16A TO-3PN
- 系列:-
- 制造商:Toshiba
- FET型:MOSFET N 通道,金属氧化物
- FET特点:标准
- 漏极至源极电压333Vdss444:600V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C:16A
- 开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:400 毫欧 @ 8A,10V
- Id时的Vgs333th444(最大):4V @ 1mA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs:80nC @ 10V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds:3520pF @ 25V
- 功率_最大:150W
- 安装类型:通孔
- 封装/外壳:TO-3P-3,SC-65-3
- 供应商设备封装:TO-3P(N)
- 包装:管件
2SK2916详细规格
- 类别:FET - 单
- 描述:MOSFET N-CH 500V 14A TO-3PN
- 系列:-
- 制造商:Toshiba
- FET型:MOSFET N 通道,金属氧化物
- FET特点:标准
- 漏极至源极电压333Vdss444:500V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C:14A
- 开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:400 毫欧 @ 7A,10V
- Id时的Vgs333th444(最大):4V @ 1mA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs:58nC @ 10V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds:2600pF @ 10V
- 功率_最大:80W
- 安装类型:通孔
- 封装/外壳:TO-3P-3,SC-65-3
- 供应商设备封装:TO-3P(N)IS
- 包装:管件
2SK2916(F)详细规格
- 类别:FET - 单
- 描述:MOSFET N-CH 500V 14A TO-3PN
- 系列:-
- 制造商:Toshiba
- FET型:MOSFET N 通道,金属氧化物
- FET特点:标准
- 漏极至源极电压333Vdss444:500V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C:14A
- 开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:400 毫欧 @ 7A,10V
- Id时的Vgs333th444(最大):4V @ 1mA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs:58nC @ 10V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds:2600pF @ 10V
- 功率_最大:80W
- 安装类型:通孔
- 封装/外壳:TO-3P-3,SC-65-3
- 供应商设备封装:TO-3P(N)IS
- 包装:管件
2SK2917详细规格
- 类别:FET - 单
- 描述:MOSFET N-CH 500V 18A TO-3PN
- 系列:-
- 制造商:Toshiba
- FET型:MOSFET N 通道,金属氧化物
- FET特点:标准
- 漏极至源极电压333Vdss444:500V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C:18A
- 开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:270 毫欧 @ 10A,10V
- Id时的Vgs333th444(最大):4V @ 1mA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs:80nC @ 10V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds:3720pF @ 10V
- 功率_最大:90W
- 安装类型:通孔
- 封装/外壳:TO-3P-3,SC-65-3
- 供应商设备封装:TO-3P(N)IS
- 包装:管件
- 陶瓷 Vishay BC Components 径向,圆盘 CAP CER 2700PF 3KV 20% RADIAL
- 面板指示器,指示灯 Dialight 径向,圆盘 LED 1" CYAN 125V CLR FLAT LENS
- 芯片电阻 - 表面安装 TE Connectivity 0805(2012 公制) RES 51.0 OHM 1/10W 0.1% 0805
- FET - 单 Toshiba TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63 MOSFET N-CH 800V 5A TO220SM
- 微調器 Bourns Inc. TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63 TRIMMER 500 OHM 0.25W SMD
- RFI 和 EMI - 屏蔽和吸收材料 3M (TC) TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63 TAPE FOIL ACRYLIC 3/4" X 5YD
- 配件 Desco TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63 PUMP ONLY PURE-TOUCH SSTEEL
- 面板指示器,指示灯 Dialight TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63 LED PNL MT 1" 12V WT FLAT YEL
- 陶瓷 Vishay BC Components 径向,圆盘 CAP CER 3300PF 3KV 20% RADIAL
- 扁平带 3M TO-3P-3,SC-65-3 CABLE .025" 26COND 300FT GRAY
- 微調器 Bourns Inc. TO-3P-3,SC-65-3 TRIMMER 500 OHM 0.25W SMD
- 面板指示器,指示灯 Dialight TO-3P-3,SC-65-3 LED 1" YEL PMI 125V CLR FLAT LEN
- Card Edge, Edgeboard Connectors EDAC Inc TO-3P-3,SC-65-3 CARDEDGE 12POS DL .156 LOPRO BLK
- 带 3M (TC) TO-3P-3,SC-65-3 TAPE POLYIMIDE FILM 3/4" X 5YD
- 陶瓷 Vishay BC Components 径向,圆盘 CAP CER 220PF 3KV 10% RADIAL