2SK2740详细规格
- 类别：FET - 单
- 描述：MOSFET N-CH 600V 7A TO-220FN
- 系列：-
- 制造商：Rohm Semiconductor
- FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物
- FET特点：标准
- 漏极至源极电压333Vdss444：600V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C：7A
- 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：1.2 欧姆 @ 4A，10V
- Id时的Vgs333th444（最大）：4V @ 1mA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs：-
- 输入电容333Ciss4440a0Vds：1050pF @ 10V
- 功率_最大：30W
- 安装类型：通孔
- 封装/外壳：TO-220-3 整包
- 供应商设备封装：TO-220FN
- 包装：散装
2SK2744详细规格
- 类别：FET - 单
- 描述：MOSFET N-CH 50V 45A TO-3PN
- 系列：-
- 制造商：Toshiba
- FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物
- FET特点：标准
- 漏极至源极电压333Vdss444：50V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C：45A
- 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：20 毫欧 @ 25A，10V
- Id时的Vgs333th444（最大）：3.5V @ 1mA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs：68nC @ 10V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds：2300pF @ 10V
- 功率_最大：125W
- 安装类型：通孔
- 封装/外壳：TO-3P-3，SC-65-3
- 供应商设备封装：TO-3P（N）
- 包装：管件
2SK2744(F)详细规格
- 类别：FET - 单
- 描述：MOSFET N-CH 50V 45A TO-3PN
- 系列：-
- 制造商：Toshiba
- FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物
- FET特点：标准
- 漏极至源极电压333Vdss444：50V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C：45A
- 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：20 毫欧 @ 25A，10V
- Id时的Vgs333th444（最大）：3.5V @ 1mA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs：68nC @ 10V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds：2300pF @ 10V
- 功率_最大：125W
- 安装类型：通孔
- 封装/外壳：TO-3P-3，SC-65-3
- 供应商设备封装：TO-3P（N）
- 包装：散装
2SK2745详细规格
- 类别：FET - 单
- 描述：MOSFET N-CH 50V 50A TO-3PN
- 系列：-
- 制造商：Toshiba
- FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物
- FET特点：标准
- 漏极至源极电压333Vdss444：50V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C：50A
- 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：9.5 毫欧 @ 25A，10V
- Id时的Vgs333th444（最大）：2V @ 1mA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs：130nC @ 10V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds：4000pF @ 10V
- 功率_最大：150W
- 安装类型：通孔
- 封装/外壳：TO-3P-3，SC-65-3
- 供应商设备封装：TO-3P（N）
- 包装：管件
2SK2745(F)详细规格
- 类别：FET - 单
- 描述：MOSFET N-CH 50V 50A TO-3PN
- 系列：-
- 制造商：Toshiba
- FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物
- FET特点：标准
- 漏极至源极电压333Vdss444：50V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C：50A
- 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：9.5 毫欧 @ 25A，10V
- Id时的Vgs333th444（最大）：2V @ 1mA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs：130nC @ 10V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds：4000pF @ 10V
- 功率_最大：150W
- 安装类型：通孔
- 封装/外壳：TO-3P-3，SC-65-3
- 供应商设备封装：TO-3P（N）
- 包装：管件
2SK2746详细规格
- 类别：FET - 单
- 描述：MOSFET N-CH 800V 7A TO-3PN
- 系列：-
- 制造商：Toshiba
- FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物
- FET特点：标准
- 漏极至源极电压333Vdss444：800V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C：7A
- 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：1.7 欧姆 @ 3.5A，10V
- Id时的Vgs333th444（最大）：4V @ 1mA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs：55nC @ 10V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds：1500pF @ 25V
- 功率_最大：150W
- 安装类型：通孔
- 封装/外壳：TO-3P-3，SC-65-3
- 供应商设备封装：TO-3P（N）
- 包装：管件
- D-Sub Norcomp Inc. DO-204AC，DO-15，轴向 CONN DB37 FEMALE SLD CUP TIN
- Card Edge, Edgeboard Connectors EDAC Inc DO-204AC，DO-15，轴向 CARDEDGE LO PRO 50POS .156 GRN
- 配件 APEM Components, LLC DO-204AC，DO-15，轴向 16MM INDUSTRIAL CONTROL ACCESS
- FET - 单 Renesas Electronics America TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB MOSFET N-CH 40V MP-25ZP/TO-263
- 电容器 Rubycon CAP ALUM 1000UF 200V 20% SNAP-IN
- 单二极管/齐纳 ON Semiconductor T-18，轴向 DIODE ZENER 60V 5W AXIAL
- 热收缩套，帽盖 TE Connectivity T-18，轴向 BOOT MOLDED
- D-Sub Norcomp Inc. T-18，轴向 CONN DB37 FEMALE SLD CUP NKL
- 按钮 Grayhill Inc T-18，轴向 SWITCH PUSH SPST-NO 1A 115V
- 电容器 Rubycon CAP ALUM 1800UF 200V 20% SNAP-IN
- FET - 单 Renesas Electronics America TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 MOSFET N-CH 25V MP-3ZK/TO-252
- 单二极管/齐纳 ON Semiconductor T-18，轴向 DIODE ZENER 82V 5W AXIAL
- 热收缩套，帽盖 TE Connectivity T-18，轴向 BOOT MOLDED
- D-Sub Norcomp Inc. T-18，轴向 CONN DB37 FEMALE SLD DIP CHROME
- 按钮 Grayhill Inc T-18，轴向 SWITCH PUSH SPST-NO 1A 115V
0755-88917652 
0755-82561519 
0755-82569753 
0755-82561519 
010-62962871、 
13681678667 
0755-82563615 
0755-83244680 
0755-82561519 
13510131896 
0755- 8251939 
15112667855 
0755-83209630 
0755-89697985 
0755-88291559 
0755-83223003 
