2SK2610详细规格
- 类别：FET - 单
- 描述：MOSFET N-CH 900V 5A TO-3PN
- 系列：-
- 制造商：Toshiba
- FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物
- FET特点：标准
- 漏极至源极电压333Vdss444：900V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C：5A
- 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：2.5 欧姆 @ 3A，10V
- Id时的Vgs333th444（最大）：4V @ 1mA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs：45nC @ 10V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds：1200pF @ 25V
- 功率_最大：150W
- 安装类型：通孔
- 封装/外壳：TO-3P-3，SC-65-3
- 供应商设备封装：TO-3P（N）
- 包装：管件
2SK2610(F,T)详细规格
- 类别：FET - 单
- 描述：MOSFET N-CH 900V 5A TO-3PN
- 系列：-
- 制造商：Toshiba
- FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物
- FET特点：标准
- 漏极至源极电压333Vdss444：900V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C：5A
- 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：2.5 欧姆 @ 3A，10V
- Id时的Vgs333th444（最大）：4V @ 1mA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs：45nC @ 10V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds：1200pF @ 25V
- 功率_最大：150W
- 安装类型：通孔
- 封装/外壳：TO-3P-3，SC-65-3
- 供应商设备封装：TO-3P（N）
- 包装：管件
2SK2613详细规格
- 类别：FET - 单
- 描述：MOSFET N-CH 1KV 8A TO-3PN
- 系列：-
- 制造商：Toshiba
- FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物
- FET特点：标准
- 漏极至源极电压333Vdss444：1000V（1kV）
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C：8A
- 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：1.7 欧姆 @ 4A，10V
- Id时的Vgs333th444（最大）：4V @ 1mA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs：65nC @ 10V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds：2000pF @ 25V
- 功率_最大：150W
- 安装类型：通孔
- 封装/外壳：TO-3P-3，SC-65-3
- 供应商设备封装：TO-3P（N）
- 包装：管件
2SK2613(F)详细规格
- 类别：FET - 单
- 描述：MOSFET N-CH 1KV 8A TO-3PN
- 系列：-
- 制造商：Toshiba
- FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物
- FET特点：标准
- 漏极至源极电压333Vdss444：1000V（1kV）
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C：8A
- 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：1.7 欧姆 @ 4A，10V
- Id时的Vgs333th444（最大）：4V @ 1mA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs：65nC @ 10V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds：2000pF @ 25V
- 功率_最大：150W
- 安装类型：通孔
- 封装/外壳：TO-3P-3，SC-65-3
- 供应商设备封装：TO-3P（N）
- 包装：管件
2SK2614详细规格
- 类别：FET - 单
- 描述：MOSFET N-CH 50V 20A PW-MOLD
- 系列：-
- 制造商：Toshiba
- FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物
- FET特点：逻辑电平门
- 漏极至源极电压333Vdss444：50V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C：20A
- 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：46 毫欧 @ 10A，10V
- Id时的Vgs333th444（最大）：2V @ 1mA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs：25nC @ 10V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds：900pF @ 10V
- 功率_最大：40W
- 安装类型：表面贴装
- 封装/外壳：TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63
- 供应商设备封装：PW-MOLD
- 包装：散装
2SK2614(Q)详细规格
- 类别：FET - 单
- 描述：MOSFET N-CH 50V 20A PW-MOLD
- 系列：-
- 制造商：Toshiba
- FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物
- FET特点：逻辑电平门
- 漏极至源极电压333Vdss444：50V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C：20A
- 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：46 毫欧 @ 10A，10V
- Id时的Vgs333th444（最大）：2V @ 1mA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs：25nC @ 10V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds：900pF @ 10V
- 功率_最大：40W
- 安装类型：表面贴装
- 封装/外壳：TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63
- 供应商设备封装：PW-MOLD
- 包装：管件
- 拨动开关 APEM Components, LLC 径向 SWITCH TOGGLE MINI
- 保险丝 - 电气，特制 Littelfuse Inc 盒，非标准 FUSE M/V E-RATED 400E 8.25KV
- FET - 单 Toshiba TO-220-3 整包 MOSFET N-CH 100V 20A TO220NIS
- 矩形- 接头，插座，母插口 Mill-Max Manufacturing Corp. TO-220-3 整包 CONN SOCKET STRIP 45POS GOLD
- 拨动开关 Grayhill Inc TO-220-3 整包 TOG SMIN SPDT O-N-O N RAV LF
- 电容器 Rubycon CAP ALUM 10UF 35V 20% RADIAL
- 多芯导线 Alpha Wire 3500/25C SLATE 1000 FT
- PTC 可复位保险丝 Littelfuse Inc 径向 PTC RESETTABLE 30V 7A KINK AMMO
- 电容器 Rubycon CAP ALUM 120UF 400V 20% SNAP-IN
- 拨动开关 Grayhill Inc TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 TOG SMIN SPDT O-N-O T SL LF
- 矩形- 接头，插座，母插口 Mill-Max Manufacturing Corp. TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 CONN SOCKET STRIP 58POS GOLD
- PTC 可复位保险丝 Littelfuse Inc 径向 PTC 9.00A 30V RESETTABLE KINK
- 温度调节器 Honeywell Sensing and Control MILITARY THERMOSTAT
- 电容器 Rubycon CAP ALUM 4.7UF 35V 20% RADIAL
- 拨动开关 APEM Components, LLC SWITCH TOGGLE MINI
0755-83200050 
0755-83200050 
0510-87070646 
075584505750 
021-62153656青 
0755*83682918 
0755-82561519 
010-62104931、 
18301798078 
075582796732 
13424184668 
0755-83679110 
17876146278/1 
0755-83259954 
0755- 8255602 
