2SD19960RA详细规格
- 类别:晶体管(BJT) - 单路
- 描述:TRANS NPN LOW VOLT 20VCEO MT-1
- 系列:-
- 制造商:Panasonic Electronic Components - Semiconductor Products
- 晶体管类型:NPN
- 电流_集电极333Ic444(最大):500mA
- 电压_集电极发射极击穿(最大):20V
- IbeeeIc条件下的Vce饱和度(最大):400mV @ 20mA,500mA
- 电流_集电极截止(最大):-
- 在某IceeeVce时的最小直流电流增益333hFE444:200 @ 500mA,2V
- 功率_最大:600mW
- 频率_转换:200MHz
- 安装类型:通孔
- 封装/外壳:3-SIP
- 供应商设备封装:MT-1-A1
- 包装:剪切带 (CT)
2SD19960RA详细规格
- 类别:晶体管(BJT) - 单路
- 描述:TRANS NPN LOW VOLT 20VCEO MT-1
- 系列:-
- 制造商:Panasonic Electronic Components - Semiconductor Products
- 晶体管类型:NPN
- 电流_集电极333Ic444(最大):500mA
- 电压_集电极发射极击穿(最大):20V
- IbeeeIc条件下的Vce饱和度(最大):400mV @ 20mA,500mA
- 电流_集电极截止(最大):-
- 在某IceeeVce时的最小直流电流增益333hFE444:200 @ 500mA,2V
- 功率_最大:600mW
- 频率_转换:200MHz
- 安装类型:通孔
- 封装/外壳:3-SIP
- 供应商设备封装:MT-1-A1
- 包装:带盒(TB)
2SD19960SA详细规格
- 类别:晶体管(BJT) - 单路
- 描述:TRANS NPN LOW VOLT 20VCEO MT-1
- 系列:-
- 制造商:Panasonic Electronic Components - Semiconductor Products
- 晶体管类型:NPN
- 电流_集电极333Ic444(最大):500mA
- 电压_集电极发射极击穿(最大):20V
- IbeeeIc条件下的Vce饱和度(最大):400mV @ 20mA,500mA
- 电流_集电极截止(最大):-
- 在某IceeeVce时的最小直流电流增益333hFE444:300 @ 500mA,2V
- 功率_最大:600mW
- 频率_转换:200MHz
- 安装类型:通孔
- 封装/外壳:3-SIP
- 供应商设备封装:MT-1-A1
- 包装:带盒(TB)
2SD19960SA详细规格
- 类别:晶体管(BJT) - 单路
- 描述:TRANS NPN LOW VOLT 20VCEO MT-1
- 系列:-
- 制造商:Panasonic Electronic Components - Semiconductor Products
- 晶体管类型:NPN
- 电流_集电极333Ic444(最大):500mA
- 电压_集电极发射极击穿(最大):20V
- IbeeeIc条件下的Vce饱和度(最大):400mV @ 20mA,500mA
- 电流_集电极截止(最大):-
- 在某IceeeVce时的最小直流电流增益333hFE444:300 @ 500mA,2V
- 功率_最大:600mW
- 频率_转换:200MHz
- 安装类型:通孔
- 封装/外壳:3-SIP
- 供应商设备封装:MT-1-A1
- 包装:剪切带 (CT)
2SD19960TA详细规格
- 类别:晶体管(BJT) - 单路
- 描述:TRANS NPN LOW VOLT 20VCEO MT-1
- 系列:-
- 制造商:Panasonic Electronic Components - Semiconductor Products
- 晶体管类型:NPN
- 电流_集电极333Ic444(最大):500mA
- 电压_集电极发射极击穿(最大):20V
- IbeeeIc条件下的Vce饱和度(最大):400mV @ 20mA,500mA
- 电流_集电极截止(最大):-
- 在某IceeeVce时的最小直流电流增益333hFE444:400 @ 500mA,2V
- 功率_最大:600mW
- 频率_转换:200MHz
- 安装类型:通孔
- 封装/外壳:3-SIP
- 供应商设备封装:MT-1-A1
- 包装:剪切带 (CT)
2SD19960TA详细规格
- 类别:晶体管(BJT) - 单路
- 描述:TRANS NPN LOW VOLT 20VCEO MT-1
- 系列:-
- 制造商:Panasonic Electronic Components - Semiconductor Products
- 晶体管类型:NPN
- 电流_集电极333Ic444(最大):500mA
- 电压_集电极发射极击穿(最大):20V
- IbeeeIc条件下的Vce饱和度(最大):400mV @ 20mA,500mA
- 电流_集电极截止(最大):-
- 在某IceeeVce时的最小直流电流增益333hFE444:400 @ 500mA,2V
- 功率_最大:600mW
- 频率_转换:200MHz
- 安装类型:通孔
- 封装/外壳:3-SIP
- 供应商设备封装:MT-1-A1
- 包装:带盒(TB)
- 陶瓷 AVX Corporation 0805(2012 公制) CAP CER 0.12UF 50V Y5V 0805
- 晶体管(BJT) - 单路 Panasonic Electronic Components - Semiconductor Products 3-SIP TRANS NPN GP AMP 50VCEO MT-1
- 配件 Honeywell Sensing and Control 3-SIP LIMIT AND ENCLOSED SW LIQUID
- 单二极管/齐纳 Fairchild Semiconductor DO-204AH,DO-35,轴向 DIODE ZENER 12V 500MW DO-35
- 配件 Omron Electronics Inc-IA Div DO-204AH,DO-35,轴向 INPUT NOISE EMC FILTER
- 接线座 - 隔板块 Curtis Industries DO-204AH,DO-35,轴向 TERM BARRIER 8CIRC SGL ROW .325
- 矩形 - 自由悬挂,面板安装 TE Connectivity DO-204AH,DO-35,轴向 CONN RCPT 25POS 24AWG MTA-100
- 陶瓷 AVX Corporation 0805(2012 公制) CAP CER 0.022UF 50V Y5V 0805
- 网络、阵列 Bourns Inc. 16-DIP(0.300",7.62mm) RES ARRAY 3K OHM 8 RES 16-DIP
- 单二极管/齐纳 Fairchild Semiconductor DO-204AH,DO-35,轴向 DIODE ZENER 15V 500MW DO-35
- 配件 Omron Electronics Inc-IA Div DO-204AH,DO-35,轴向 INPUT NOISE EMC FILTER
- 接线座 - 隔板块 Curtis Industries DO-204AH,DO-35,轴向 TERM BARRIER 21CIRC SGL ROW .325
- 矩形- 接头,公引脚 TE Connectivity DO-204AH,DO-35,轴向 CONN HEADER 5POS VERT .100 GOLD
- 陶瓷 AVX Corporation 0805(2012 公制) CAP CER 0.22UF 50V Y5V 0805
- 网络、阵列 Bourns Inc. 16-DIP(0.300",7.62mm) RES ARRAY 3.3K OHM 8 RES 16-DIP