2SC541 全国供应商、价格、PDF资料

2SC5415AE-TD-E详细规格

类别：RF 晶体管 (BJT)

描述：TRANS NPN BIPO HI FREQ PCP

系列：-

制造商：ON Semiconductor

晶体管类型：NPN

电压_集电极发射极击穿（最大）：12V

频率_转换：6.7GHz

噪声系数（dB典型值0a0频率）：1.1dB @ 1GHz

增益：9dB

功率_最大：800mW

在某IceeeVce时的最小直流电流增益333hFE444：90 @ 30mA，5V

电流_集电极333Ic444（最大）：100mA

安装类型：表面贴装

封装/外壳：TO-243AA

供应商设备封装：PCP

包装：带卷 (TR)

2SC54190RA详细规格

类别：晶体管(BJT) - 单路

描述：TRANS NPN 300VCEO 70MA MT-2

系列：-

制造商：Panasonic Electronic Components - Semiconductor Products

晶体管类型：NPN

电流_集电极333Ic444（最大）：70mA

电压_集电极发射极击穿（最大）：300V

IbeeeIc条件下的Vce饱和度（最大）：1.2V @ 5mA，50mA

电流_集电极截止（最大）：1µA

在某IceeeVce时的最小直流电流增益333hFE444：100 @ 5mA，10V

功率_最大：1W

频率_转换：50MHz

安装类型：通孔

封装/外壳：3-SIP

供应商设备封装：MT-2-A1

包装：带盒（TB）

2SC54190RA详细规格

类别：晶体管(BJT) - 单路

描述：TRANS NPN 300VCEO 70MA MT-2

系列：-

制造商：Panasonic Electronic Components - Semiconductor Products

晶体管类型：NPN

电流_集电极333Ic444（最大）：70mA

电压_集电极发射极击穿（最大）：300V

IbeeeIc条件下的Vce饱和度（最大）：1.2V @ 5mA，50mA

电流_集电极截止（最大）：1µA

在某IceeeVce时的最小直流电流增益333hFE444：100 @ 5mA，10V

功率_最大：1W

频率_转换：50MHz

安装类型：通孔

封装/外壳：3-SIP

供应商设备封装：MT-2-A1

包装：剪切带 (CT)