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2SA12 全国供应商、价格、PDF资料

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2SA1201-Y(TE12L,CF详细规格

类别:晶体管(BJT) - 单路
描述:TRANSISTOR PNP 120V 0.8A SC-62
系列:-
制造商:Toshiba
晶体管类型:PNP
电流_集电极333Ic444(最大):800mA
电压_集电极发射极击穿(最大):120V
IbeeeIc条件下的Vce饱和度(最大):1V @ 50mA,500mA
电流_集电极截止(最大):-
在某IceeeVce时的最小直流电流增益333hFE444:120 @ 100mA,5V
功率_最大:500mW
频率_转换:120MHz
安装类型:表面贴装
封装/外壳:TO-243AA
供应商设备封装:PW-Mini(4.6x4.2)
包装:带卷 (TR)

2SA1203-Y(TE12L,CF详细规格

类别:晶体管(BJT) - 单路
描述:TRANSISTOR PNP 30V 1.5A SC-62
系列:-
制造商:Toshiba
晶体管类型:PNP
电流_集电极333Ic444(最大):1.5A
电压_集电极发射极击穿(最大):30V
IbeeeIc条件下的Vce饱和度(最大):2V @ 30mA,1.5A
电流_集电极截止(最大):-
在某IceeeVce时的最小直流电流增益333hFE444:160 @ 500mA,2V
功率_最大:500mW
频率_转换:120MHz
安装类型:表面贴装
封装/外壳:TO-243AA
供应商设备封装:PW-Mini(4.6x4.2)
包装:带卷 (TR)

2SA1204-Y(TE12L,CF详细规格

类别:晶体管(BJT) - 单路
描述:TRANSISTOR PNP 30V 0.8A SC-62
系列:-
制造商:Toshiba
晶体管类型:PNP
电流_集电极333Ic444(最大):800mA
电压_集电极发射极击穿(最大):30V
IbeeeIc条件下的Vce饱和度(最大):700mV @ 20mA,500mA
电流_集电极截止(最大):-
在某IceeeVce时的最小直流电流增益333hFE444:160 @ 100mA,1V
功率_最大:500mW
频率_转换:120MHz
安装类型:表面贴装
封装/外壳:TO-243AA
供应商设备封装:PW-Mini(4.6x4.2)
包装:带卷 (TR)

2SA1225-Y(Q)详细规格

类别:晶体管(BJT) - 单路
描述:TRANSISTOR PNP 160V 1.5A PW-MOLD
系列:-
制造商:Toshiba
晶体管类型:PNP
电流_集电极333Ic444(最大):1.5A
电压_集电极发射极击穿(最大):160V
IbeeeIc条件下的Vce饱和度(最大):1.5V @ 50mA,500mA
电流_集电极截止(最大):-
在某IceeeVce时的最小直流电流增益333hFE444:120 @ 100mA,5V
功率_最大:1W
频率_转换:100MHz
安装类型:表面贴装
封装/外壳:TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63
供应商设备封装:PW-MOLD
包装:散装

2SA1242-Y(Q)详细规格

类别:晶体管(BJT) - 单路
描述:TRANS PNP 20V 5A PW-MOLD
系列:-
制造商:Toshiba
晶体管类型:PNP
电流_集电极333Ic444(最大):5A
电压_集电极发射极击穿(最大):20V
IbeeeIc条件下的Vce饱和度(最大):1V @ 100mA,4A
电流_集电极截止(最大):-
在某IceeeVce时的最小直流电流增益333hFE444:160 @ 500mA,2V
功率_最大:1W
频率_转换:170MHz
安装类型:表面贴装
封装/外壳:TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63
供应商设备封装:PW-MOLD
包装:管件

2SA1244-O(Q)详细规格

类别:晶体管(BJT) - 单路
描述:TRANSISTOR PNP 50V 5A PW-MOLD
系列:-
制造商:Toshiba
晶体管类型:PNP
电流_集电极333Ic444(最大):5A
电压_集电极发射极击穿(最大):50V
IbeeeIc条件下的Vce饱和度(最大):400mV @ 150mA,3A
电流_集电极截止(最大):-
在某IceeeVce时的最小直流电流增益333hFE444:70 @ 1A,1V
功率_最大:1W
频率_转换:60MHz
安装类型:表面贴装
封装/外壳:TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63
供应商设备封装:PW-MOLD
包装:散装

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