

2SA1160-B(TE6,F,M)详细规格
- 类别:晶体管(BJT) - 单路
- 描述:TRANS PNP 10V 2A TO-92
- 系列:-
- 制造商:Toshiba
- 晶体管类型:PNP
- 电流_集电极333Ic444(最大):2A
- 电压_集电极发射极击穿(最大):10V
- IbeeeIc条件下的Vce饱和度(最大):500mV @ 50mA,2A
- 电流_集电极截止(最大):-
- 在某IceeeVce时的最小直流电流增益333hFE444:200 @ 500mA,1V
- 功率_最大:900mW
- 频率_转换:140MHz
- 安装类型:通孔
- 封装/外壳:TO-226-3、TO-92-3 长体
- 供应商设备封装:LSTM
- 包装:带盒(TB)
2SA1162-GR(TE85L,F))详细规格
- 类别:晶体管(BJT) - 单路
- 描述:TRANS PNP 50V 150MA S-MINI
- 系列:-
- 制造商:Toshiba
- 晶体管类型:PNP
- 电流_集电极333Ic444(最大):150mA
- 电压_集电极发射极击穿(最大):50V
- IbeeeIc条件下的Vce饱和度(最大):300mV @ 10mA,100mA
- 电流_集电极截止(最大):-
- 在某IceeeVce时的最小直流电流增益333hFE444:200 @ 2mA,6V
- 功率_最大:150mW
- 频率_转换:80MHz
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
- 供应商设备封装:S-Mini
- 包装:Digi-Reel®
2SA1162-GR(TE85L,F))详细规格
- 类别:晶体管(BJT) - 单路
- 描述:TRANS PNP 50V 150MA S-MINI
- 系列:-
- 制造商:Toshiba
- 晶体管类型:PNP
- 电流_集电极333Ic444(最大):150mA
- 电压_集电极发射极击穿(最大):50V
- IbeeeIc条件下的Vce饱和度(最大):300mV @ 10mA,100mA
- 电流_集电极截止(最大):-
- 在某IceeeVce时的最小直流电流增益333hFE444:200 @ 2mA,6V
- 功率_最大:150mW
- 频率_转换:80MHz
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
- 供应商设备封装:S-Mini
- 包装:带卷 (TR)
2SA1162-GR(TE85L,F))详细规格
- 类别:晶体管(BJT) - 单路
- 描述:TRANS PNP 50V 150MA S-MINI
- 系列:-
- 制造商:Toshiba
- 晶体管类型:PNP
- 电流_集电极333Ic444(最大):150mA
- 电压_集电极发射极击穿(最大):50V
- IbeeeIc条件下的Vce饱和度(最大):300mV @ 10mA,100mA
- 电流_集电极截止(最大):-
- 在某IceeeVce时的最小直流电流增益333hFE444:200 @ 2mA,6V
- 功率_最大:150mW
- 频率_转换:80MHz
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
- 供应商设备封装:S-Mini
- 包装:剪切带 (CT)
2SA1162GT1详细规格
- 类别:晶体管(BJT) - 单路
- 描述:TRANSISTOR PNP 50V 150MA SC-59
- 系列:-
- 制造商:ON Semiconductor
- 晶体管类型:PNP
- 电流_集电极333Ic444(最大):150mA
- 电压_集电极发射极击穿(最大):50V
- IbeeeIc条件下的Vce饱和度(最大):300mV @ 10mA,100mA
- 电流_集电极截止(最大):100nA
- 在某IceeeVce时的最小直流电流增益333hFE444:200 @ 2mA,6V
- 功率_最大:200mW
- 频率_转换:80MHz
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
- 供应商设备封装:SC-59
- 包装:带卷 (TR)
2SA1162S-GR,LF详细规格
- 类别:晶体管(BJT) - 单路
- 描述:TRANSISTOR PNP 50V 150MA S-MINI
- 系列:-
- 制造商:Toshiba
- 晶体管类型:PNP
- 电流_集电极333Ic444(最大):150mA
- 电压_集电极发射极击穿(最大):50V
- IbeeeIc条件下的Vce饱和度(最大):300mV @ 10mA,100mA
- 电流_集电极截止(最大):-
- 在某IceeeVce时的最小直流电流增益333hFE444:70 @ 2mA,6V
- 功率_最大:150mW
- 频率_转换:80MHz
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
- 供应商设备封装:S-Mini
- 包装:带卷 (TR)
- 接线座 - 隔板块 Curtis Industries 3-SMD,扁平引线 TERM BARRIER 4CIRC SGL ROW .325
- 晶体管(BJT) - 单路 Toshiba TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 TRANS PNP 50V 150MA S-MINI
- FET - 单 Toshiba TO-220-3 整包 MOSFET N-CH 200V 15A TO220NIS
- 配件 Littelfuse Inc TO-220-3 整包 BUSBAR 1 PHASE 12 POLE 18X208MM
- 配件 Omron Electronics Inc-IA Div TO-220-3 整包 3G3MX2 EMC FILTER,3G3MX2-A2150
- FET - 单 ON Semiconductor TO-3P-3,SC-65-3 MOSFET N-CH 900V 10A TO-3PB
- 接线座 - 隔板块 Curtis Industries TO-3P-3,SC-65-3 TERM BARRIER 5CIRC SGL ROW .325
- 矩形- 接头,公引脚 TE Connectivity TO-3P-3,SC-65-3 CONN HEADER 6POS VERT TIN .100
- 绝缘体 Bivar Inc TO-3P-3,SC-65-3 PERM-O-PADS RND
- 配件 Littelfuse Inc TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 BUSBAR 1 PHASE 12 POLE 18X208MM
- 配件 Omron Electronics Inc-IA Div TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 3G3MX2 EMC FILTER,A2001,2,4,7
- 电容器 Rubycon 2917(7343 公制) CAP ALUM 100UF 2V 20% SMD
- 接线座 - 隔板块 Curtis Industries 2917(7343 公制) TERM BARRIER 7CIRC SGL ROW .325
- 摇臂 APEM Components, LLC 2917(7343 公制) SWITCH ROCKER DPDT 10A 125V
- D形,Centronics 3M 2917(7343 公制) CABLE ASSY MDR 36POS M-M 6FT