2N7002VA-7 全国供应商、价格、PDF资料
2N7002VA-7详细规格
- 类别:FET - 阵列
- 描述:MOSFET 2N-CH 60V 280MA SOT-563
- 系列:-
- 制造商:Diodes/Zetex
- FET型:2 个 N 沟道(双)
- FET特点:标准
- 漏极至源极电压333Vdss444:60V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C:280mA
- 开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:7.5 欧姆 @ 50mA,5V
- Id时的Vgs333th444(最大):2.5V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs:-
- 输入电容333Ciss4440a0Vds:50pF @ 25V
- 功率_最大:150mW
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:SOT-563,SOT-666
- 供应商设备封装:SOT-563
- 包装:带卷 (TR)
2N7002VA-7详细规格
- 类别:FET - 阵列
- 描述:MOSFET 2N-CH 60V 280MA SOT-563
- 系列:-
- 制造商:Diodes Inc
- FET型:2 个 N 沟道(双)
- FET特点:标准
- 漏极至源极电压333Vdss444:60V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C:280mA
- 开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:7.5 欧姆 @ 50mA,5V
- Id时的Vgs333th444(最大):2.5V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs:-
- 输入电容333Ciss4440a0Vds:50pF @ 25V
- 功率_最大:150mW
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:SOT-563,SOT-666
- 供应商设备封装:SOT-563
- 包装:剪切带 (CT)
2N7002VA-7详细规格
- 类别:FET - 阵列
- 描述:MOSFET 2N-CH 60V 280MA SOT-563
- 系列:-
- 制造商:Diodes Inc
- FET型:2 个 N 沟道(双)
- FET特点:标准
- 漏极至源极电压333Vdss444:60V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C:280mA
- 开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:7.5 欧姆 @ 50mA,5V
- Id时的Vgs333th444(最大):2.5V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs:-
- 输入电容333Ciss4440a0Vds:50pF @ 25V
- 功率_最大:150mW
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:SOT-563,SOT-666
- 供应商设备封装:SOT-563
- 包装:Digi-Reel®
2N7002VA-7详细规格
- 类别:FET - 阵列
- 描述:MOSFET 2N-CH 60V 280MA SOT-563
- 系列:-
- 制造商:Diodes Inc
- FET型:2 个 N 沟道(双)
- FET特点:标准
- 漏极至源极电压333Vdss444:60V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C:280mA
- 开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:7.5 欧姆 @ 50mA,5V
- Id时的Vgs333th444(最大):2.5V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs:-
- 输入电容333Ciss4440a0Vds:50pF @ 25V
- 功率_最大:150mW
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:SOT-563,SOT-666
- 供应商设备封装:SOT-563
- 包装:带卷 (TR)
2N7002VA-7-F详细规格
- 类别:FET - 阵列
- 描述:MOSFET DUAL N-CH 60V SOT-563
- 系列:-
- 制造商:Diodes Inc
- FET型:2 个 N 沟道(双)
- FET特点:标准
- 漏极至源极电压333Vdss444:60V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C:280mA
- 开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:7.5 欧姆 @ 50mA,5V
- Id时的Vgs333th444(最大):2.5V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs:-
- 输入电容333Ciss4440a0Vds:50pF @ 25V
- 功率_最大:150mW
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:SOT-563,SOT-666
- 供应商设备封装:SOT-563
- 包装:Digi-Reel®
2N7002VA-7-F详细规格
- 类别:FET - 阵列
- 描述:MOSFET DUAL N-CH 60V SOT-563
- 系列:-
- 制造商:Diodes Inc
- FET型:2 个 N 沟道(双)
- FET特点:标准
- 漏极至源极电压333Vdss444:60V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C:280mA
- 开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:7.5 欧姆 @ 50mA,5V
- Id时的Vgs333th444(最大):2.5V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs:-
- 输入电容333Ciss4440a0Vds:50pF @ 25V
- 功率_最大:150mW
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:SOT-563,SOT-666
- 供应商设备封装:SOT-563
- 包装:带卷 (TR)
- 配件 Omron Electronics Inc-IA Div 0805(2012 公制) INPUT NOISE EMC FILTER
- 保险丝 Bel Fuse Inc 2AG,5mm x 15mm(轴向) FUSE 2A 350V SLOW 2AG AXL
- FET - 阵列 Diodes Inc SOT-563,SOT-666 MOSFET DUAL N-CH 60V SOT-563
- LED - 分立式 Everlight Electronics Co Ltd 径向 LED 5MM HYPER RED WATER CLR RND
- 风扇 - DC EBM-Papst Industries Inc 径向 FAN TUBEAXIAL 119X38MM 12VDC
- 光纤 TE Connectivity 径向 C/A 50/125 12FIB PLE MPO
- 接线座 - 隔板块 Curtis Industries 径向 TERM BARRIER 14CIRC SGL ROW .325
- 陶瓷 AVX Corporation 0805(2012 公制) CAP CER 0.1UF 50V 10% Z5U 0805
- 配件 Omron Electronics Inc-IA Div 0805(2012 公制) INPUT NOISE EMC FILTER
- 网络、阵列 Bourns Inc. 14-DIP(0.300",7.62mm) RES ARRAY 1K OHM 7 RES 14-DIP
- LED - 分立式 Everlight Electronics Co Ltd 径向 LED 5MM SUPER SUNSET ORN CLR RND
- 光纤 TE Connectivity 径向 C/A 50/125 12FIB PLE MPO
- 陶瓷 AVX Corporation 0805(2012 公制) CAP CER 0.1UF 50V Z5U 0805
- 接线座 - 隔板块 Curtis Industries 0805(2012 公制) TERM BARRIER 17CIRC SGL ROW .325
- 配件 Omron Electronics Inc-IA Div 0805(2012 公制) INPUT NOISE EMC FILTER