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2N7002P,215详细规格: 类别：FET - 单; 描述：MOSFET N-CH SGL 60V SOT-23; 系列：-; 制造商：NXP Semiconductors; FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物; FET特点：逻辑电平门; 漏极至源极电压333Vdss444：60V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：360mA; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：1.6 欧姆 @ 500mA，10V; Id时的Vgs333th444（最大）：2.4V @ 250µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：0.8nC @ 4.5V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：50pF @ 10V; 功率_最大：350mW; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3; 供应商设备封装：TO-236AB; 包装：带卷 (TR)

2N7002P,215详细规格: 类别：FET - 单; 描述：MOSFET N-CH SGL 60V SOT-23; 系列：-; 制造商：NXP Semiconductors; FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物; FET特点：逻辑电平门; 漏极至源极电压333Vdss444：60V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：360mA; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：1.6 欧姆 @ 500mA，10V; Id时的Vgs333th444（最大）：2.4V @ 250µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：0.8nC @ 4.5V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：50pF @ 10V; 功率_最大：350mW; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3; 供应商设备封装：TO-236AB; 包装：Digi-Reel®

2N7002P,215详细规格: 类别：FET - 单; 描述：MOSFET N-CH SGL 60V SOT-23; 系列：-; 制造商：NXP Semiconductors; FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物; FET特点：逻辑电平门; 漏极至源极电压333Vdss444：60V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：360mA; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：1.6 欧姆 @ 500mA，10V; Id时的Vgs333th444（最大）：2.4V @ 250µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：0.8nC @ 4.5V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：50pF @ 10V; 功率_最大：350mW; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3; 供应商设备封装：TO-236AB; 包装：剪切带 (CT)

2N7002P,235详细规格: 类别：FET - 单; 描述：MOSFET N-CH SGL 60V SOT-23; 系列：-; 制造商：NXP Semiconductors; FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物; FET特点：逻辑电平门; 漏极至源极电压333Vdss444：60V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：360mA; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：1.6 欧姆 @ 500mA，10V; Id时的Vgs333th444（最大）：2.4V @ 250µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：0.8nC @ 4.5V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：50pF @ 10V; 功率_最大：350mW; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3; 供应商设备封装：TO-236AB; 包装：带卷 (TR)

2N7002PM,315详细规格: 类别：FET - 单; 描述：MOSFET N-CH SGL 60V SOT-883; 系列：-; 制造商：NXP Semiconductors; FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物; FET特点：标准; 漏极至源极电压333Vdss444：60V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：300mA; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：-; Id时的Vgs333th444（最大）：-; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：-; 输入电容333Ciss4440a0Vds：-; 功率_最大：250mW; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：SC-101，SOT-883; 供应商设备封装：SOT-883; 包装：带卷 (TR)

2N7002PS,115详细规格: 类别：FET - 阵列; 描述：MOSFET N-CH DUAL 60V 6TSSOP; 系列：-; 制造商：NXP Semiconductors; FET型：2 个 N 沟道（双）; FET特点：逻辑电平门; 漏极至源极电压333Vdss444：60V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：320mA; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：1.6 欧姆 @ 500mA，10V; Id时的Vgs333th444（最大）：2.4V @ 250µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：0.8nC @ 4.5V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：50pF @ 10V; 功率_最大：280mW; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：6-TSSOP，SC-88，SOT-363; 供应商设备封装：6-TSSOP; 包装：剪切带 (CT)

25J6K0
通孔电阻器 Ohmite 轴向 RESISTOR WIREWOUND 6.0K OHM 5W
3-1437290-8
矩形 - 外壳 TE Connectivity 轴向 HOUSING
2N7002MTF
FET - 单 Fairchild Semiconductor TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 MOSFET N-CH 60V 115MA SOT-23
30CTQ060STRLPBF
二极管，整流器 - 阵列 Vishay Semiconductors TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB DIODE SCHOTTKY 60V 15A D2PAK
412-59585
配件 Power-One TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB COVER FOR MAP80 SERIES
25J6K8E
通孔电阻器 Ohmite 轴向 RESISTOR WIREWOUND 6.8K OHM 5W
3-1879028-0
芯片电阻 - 表面安装 TE Connectivity 0805（2012 公制） RES 6.19 OHM 1/10W 0.1% 0805
325031-11-0
接线座 - 隔板块 Curtis Industries 0805（2012 公制） TERM BARRIER 11CIRC SGL ROW .325
3130-F110-P7T1-W02Q-12A
断路器 E-T-A 0805（2012 公制） CIR BRKR THRM 12A ROCKER 250V
3G3AX-RAO04100075-DE
配件 Omron Electronics Inc-IA Div 6-TSSOP，SC-88，SOT-363 3G3_X OUTPUT AC REACTOR
412-59585-G
配件 Power-One 6-TSSOP，SC-88，SOT-363 COVER FOR MAP80 SERIES
25J75RE
通孔电阻器 Ohmite 轴向 RESISTOR WIREWOUND 75 OHM 5W
3-1879028-1
芯片电阻 - 表面安装 TE Connectivity 0805（2012 公制） RES 6.34 OHM 1/10W 0.1% 0805
325032-05-0
接线座 - 隔板块 Curtis Industries 0805（2012 公制） TERM BARRIER 5CIRC SGL ROW .325
3-1437397-2
接线座 - 配件 TE Connectivity 0805（2012 公制） CONN TERM BLOCK FUSE 22-8AWG

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