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2N7002DW详细规格: 类别：FET - 阵列; 描述：MOSFET N CH DL 60V 115MA SC70-6; 系列：-; 制造商：Fairchild Semiconductor; FET型：2 个 N 沟道（双）; FET特点：逻辑电平门; 漏极至源极电压333Vdss444：60V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：115mA; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：7.5 欧姆 @ 50mA，5V; Id时的Vgs333th444（最大）：2V @ 250µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：-; 输入电容333Ciss4440a0Vds：50pF @ 25V; 功率_最大：200mW; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：6-TSSOP，SC-88，SOT-363; 供应商设备封装：SC-70-6; 包装：Digi-Reel®

2N7002DW详细规格: 类别：FET - 阵列; 描述：MOSFET N CH DL 60V 115MA SC70-6; 系列：-; 制造商：Fairchild Semiconductor; FET型：2 个 N 沟道（双）; FET特点：逻辑电平门; 漏极至源极电压333Vdss444：60V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：115mA; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：7.5 欧姆 @ 50mA，5V; Id时的Vgs333th444（最大）：2V @ 250µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：-; 输入电容333Ciss4440a0Vds：50pF @ 25V; 功率_最大：200mW; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：6-TSSOP，SC-88，SOT-363; 供应商设备封装：SC-70-6; 包装：剪切带 (CT)

2N7002DW详细规格: 类别：FET - 阵列; 描述：MOSFET N CH DL 60V 115MA SC70-6; 系列：-; 制造商：Fairchild Semiconductor; FET型：2 个 N 沟道（双）; FET特点：逻辑电平门; 漏极至源极电压333Vdss444：60V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：115mA; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：7.5 欧姆 @ 50mA，5V; Id时的Vgs333th444（最大）：2V @ 250µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：-; 输入电容333Ciss4440a0Vds：50pF @ 25V; 功率_最大：200mW; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：6-TSSOP，SC-88，SOT-363; 供应商设备封装：SC-70-6; 包装：带卷 (TR)

2N7002DW H6327详细规格: 类别：FET - 阵列; 描述：MOSFET 2N-CH 60V 0.3A SOT363; 系列：OptiMOS™; 制造商：Infineon Technologies; FET型：2 个 N 沟道（双）; FET特点：逻辑电平门; 漏极至源极电压333Vdss444：60V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：300mA; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：3 欧姆 @ 500mA，10V; Id时的Vgs333th444（最大）：2.5V @ 250µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：0.6nC @ 10V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：20pF @ 25V; 功率_最大：500mW; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：6-VSSOP，SC-88，SOT-363; 供应商设备封装：PG-SOT363-6; 包装：带卷 (TR)

2N7002DW H6327详细规格: 类别：FET - 阵列; 描述：MOSFET 2N-CH 60V 0.3A SOT363; 系列：OptiMOS™; 制造商：Infineon Technologies; FET型：2 个 N 沟道（双）; FET特点：逻辑电平门; 漏极至源极电压333Vdss444：60V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：300mA; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：3 欧姆 @ 500mA，10V; Id时的Vgs333th444（最大）：2.5V @ 250µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：0.6nC @ 10V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：20pF @ 25V; 功率_最大：500mW; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：6-VSSOP，SC-88，SOT-363; 供应商设备封装：PG-SOT363-6; 包装：剪切带 (CT)

2N7002DW H6327详细规格: 类别：FET - 阵列; 描述：MOSFET 2N-CH 60V 0.3A SOT363; 系列：OptiMOS™; 制造商：Infineon Technologies; FET型：2 个 N 沟道（双）; FET特点：逻辑电平门; 漏极至源极电压333Vdss444：60V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：300mA; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：3 欧姆 @ 500mA，10V; Id时的Vgs333th444（最大）：2.5V @ 250µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：0.6nC @ 10V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：20pF @ 25V; 功率_最大：500mW; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：6-VSSOP，SC-88，SOT-363; 供应商设备封装：PG-SOT363-6; 包装：Digi-Reel®

2-330061-1
同轴，RF TE Connectivity 轴向 CONN PLUG BNC 50 OHM CRIMP GOLD
37-1/Y5C-ARTC-AM
LED - 分立式 Everlight Electronics Co Ltd - LED PWR OVAL SUPER YLW WATER CLR
3-1879469-1
底座安装电阻器 TE Connectivity 矩形外壳 RES 330 OHM 150W 5% WW WIRE
2N7002DW H6327
FET - 阵列 Infineon Technologies 6-VSSOP，SC-88，SOT-363 MOSFET 2N-CH 60V 0.3A SOT363
325338-10-0
接线座 - 隔板块 Curtis Industries 6-VSSOP，SC-88，SOT-363 TERM BARRIER 10CIRC SGL ROW .325
2-1879633-3
通孔电阻器 TE Connectivity 轴向 RES 28.7 OHM 1/2W 0.5% AXIAL
2-330312-7
同轴，RF TE Connectivity 轴向 CONN RCPT COAXIAL RG/U 161,178
3270-BLACK-3’X10’
其它 3M SAFETY CUSHION MAT 3270 3’X10’
3710
其它工具 3M DELTA HAND TOOL KIT
433215-11-0
接线座 - 隔板块 Curtis Industries 6-VSSOP，SC-88，SOT-363 TERM BARRIER 11CIRC 1 ROW .4375
2-1879633-7
通孔电阻器 TE Connectivity 轴向 RES 34.8 OHM 1/2W 0.5% AXIAL
325338-20-0
接线座 - 隔板块 Curtis Industries 轴向 TERM BARRIER 20CIRC SGL ROW .325
2-330358-2
同轴，RF TE Connectivity 轴向 CONN PLUG BNC 50 OHM CRIMP GOLD
3710.8
接线座 - 配件 - 跳线 On Shore Technology Inc 轴向 JUMPER CROSS FOR TERMINAL BLOCK
2N7002DW L6327
FET - 阵列 Infineon Technologies 6-VSSOP，SC-88，SOT-363 MOSFET 2N-CH 60V 300MA SOT363

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