2N3906详细规格
- 类别:晶体管(BJT) - 单路
- 描述:TRANSISTOR PNP -40V -200MA TO-92
- 系列:-
- 制造商:STMicroelectronics
- 晶体管类型:PNP
- 电流_集电极333Ic444(最大):200mA
- 电压_集电极发射极击穿(最大):40V
- IbeeeIc条件下的Vce饱和度(最大):400mV @ 5mA,50mA
- 电流_集电极截止(最大):-
- 在某IceeeVce时的最小直流电流增益333hFE444:100 @ 10mA,1V
- 功率_最大:625mW
- 频率_转换:250MHz
- 安装类型:通孔
- 封装/外壳:TO-226-3、TO-92-3 标准主体
- 供应商设备封装:TO-92
- 包装:散装
2N3906,116详细规格
- 类别:晶体管(BJT) - 单路
- 描述:TRANS PNP SW HS 200MA 40V TO92
- 系列:-
- 制造商:NXP Semiconductors
- 晶体管类型:PNP
- 电流_集电极333Ic444(最大):200mA
- 电压_集电极发射极击穿(最大):40V
- IbeeeIc条件下的Vce饱和度(最大):200mV @ 5mA,50mA
- 电流_集电极截止(最大):-
- 在某IceeeVce时的最小直流电流增益333hFE444:100 @ 10mA,1V
- 功率_最大:500mW
- 频率_转换:250MHz
- 安装类型:通孔
- 封装/外壳:TO-226-3、TO-92-3(TO-226AA)成形引线
- 供应商设备封装:TO-92-3
- 包装:剪切带 (CT)
2N3906,116详细规格
- 类别:晶体管(BJT) - 单路
- 描述:TRANS PNP SW HS 200MA 40V TO92
- 系列:-
- 制造商:NXP Semiconductors
- 晶体管类型:PNP
- 电流_集电极333Ic444(最大):200mA
- 电压_集电极发射极击穿(最大):40V
- IbeeeIc条件下的Vce饱和度(最大):200mV @ 5mA,50mA
- 电流_集电极截止(最大):-
- 在某IceeeVce时的最小直流电流增益333hFE444:100 @ 10mA,1V
- 功率_最大:500mW
- 频率_转换:250MHz
- 安装类型:通孔
- 封装/外壳:TO-226-3、TO-92-3(TO-226AA)成形引线
- 供应商设备封装:TO-92-3
- 包装:带卷 (TR)
2N3906_D11Z详细规格
- 类别:晶体管(BJT) - 单路
- 描述:TRANSISTOR PNP 40V 200MA TO-92
- 系列:-
- 制造商:Fairchild Semiconductor
- 晶体管类型:PNP
- 电流_集电极333Ic444(最大):200mA
- 电压_集电极发射极击穿(最大):40V
- IbeeeIc条件下的Vce饱和度(最大):400mV @ 5mA,50mA
- 电流_集电极截止(最大):-
- 在某IceeeVce时的最小直流电流增益333hFE444:100 @ 10mA,1V
- 功率_最大:625mW
- 频率_转换:250MHz
- 安装类型:通孔
- 封装/外壳:TO-226-3、TO-92-3(TO-226AA)成形引线
- 供应商设备封装:TO-92-3
- 包装:带卷 (TR)
2N3906_D27ZS00Z详细规格
- 类别:晶体管(BJT) - 单路
- 描述:TRANSISTOR PNP 40V 200MA TO-92
- 系列:-
- 制造商:Fairchild Semiconductor
- 晶体管类型:PNP
- 电流_集电极333Ic444(最大):200mA
- 电压_集电极发射极击穿(最大):40V
- IbeeeIc条件下的Vce饱和度(最大):400mV @ 5mA,50mA
- 电流_集电极截止(最大):-
- 在某IceeeVce时的最小直流电流增益333hFE444:100 @ 10mA,1V
- 功率_最大:625mW
- 频率_转换:250MHz
- 安装类型:通孔
- 封装/外壳:TO-226-3、TO-92-3(TO-226AA)成形引线
- 供应商设备封装:TO-92-3
- 包装:带盒(TB)
2N3906_D81Z详细规格
- 类别:晶体管(BJT) - 单路
- 描述:TRANSISTOR PNP 40V 200MA TO-92
- 系列:-
- 制造商:Fairchild Semiconductor
- 晶体管类型:PNP
- 电流_集电极333Ic444(最大):200mA
- 电压_集电极发射极击穿(最大):40V
- IbeeeIc条件下的Vce饱和度(最大):400mV @ 5mA,50mA
- 电流_集电极截止(最大):-
- 在某IceeeVce时的最小直流电流增益333hFE444:100 @ 10mA,1V
- 功率_最大:625mW
- 频率_转换:250MHz
- 安装类型:通孔
- 封装/外壳:TO-226-3、TO-92-3(TO-226AA)成形引线
- 供应商设备封装:TO-92-3
- 包装:带卷 (TR)
- 晶体管(BJT) - 单路 STMicroelectronics TO-226-3、TO-92-3 标准主体 TRANSISTOR PNP -40V -200MA TO-92
- 矩形- 接头,公引脚 TE Connectivity TO-226-3、TO-92-3 标准主体 CONN HDR BRKWAY 24POS VERT 30AU
- 电容器 Rubycon 径向,Can - SMD CAP ALUM 220UF 35V 20% SMD
- 通孔电阻器 TE Connectivity 轴向 RES 237K OHM 1/4W 0.1% AXIAL
- 绝缘体 Bivar Inc 轴向 PERM-O-PADS RECTANGULAR
- 配件 Digital View Inc 轴向 CABLE PANEL LVDS 460MM SERIES2
- 通孔电阻器 TE Connectivity 轴向 RES 100 OHM 3W 5% AXIAL
- 钽 Vishay Sprague 1206(3216 公制) CAP TANT 0.47UF 35V 10% 1206
- 电容器 Rubycon 径向,Can - SMD CAP ALUM 22UF 35V 20% SMD
- 晶体 CTS-Frequency Controls 2-SMD CRYSTAL 12.00000 MHZ 12PF SMD
- 端子 - 快速连接,快速断连 TE Connectivity 2-SMD CONN RECEPT FAST 16-20AWG
- 通孔电阻器 TE Connectivity 轴向 RES 2.20K OHM 3W 5% AXIAL
- 配件 Digital View Inc 轴向 CABLE PANEL LVDS 460MM SERIES2
- 钽 Vishay Sprague 2312(6032 公制) CAP TANT 0.47UF 50V 10% 2312
- 电容器 Rubycon 径向,Can - SMD CAP ALUM 4.7UF 35V 20% SMD