型号：SPD01N60C3
类别：FET - 单
制造商：Infineon Technologies
封装：TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63
描述：MOSFET N-CH 650V 0.8A TO-252
系列：CoolMOS™
FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物
FET特点：标准
漏极至源极电压333Vdss444：650V
电流_连续漏极333Id4440a025000C：800mA
开态Rds111最大2220a0IdwwwwVgs0a025000C：6 欧姆 @ 500mA，10V
Id时的Vgs333th444111最大222：3.9V @ 250µA
闸电荷333Qg4440a0Vgs：5nC @ 10V
输入电容333Ciss4440a0Vds：100pF @ 25V
功率_最大：11W
安装类型：表面贴装
封装__外壳：TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63
供应商设备封装：PG-TO252-3
包装：Digi-Reel®
厂 商：SANYO [ Sanyo Semicon Device ]
描 述：C to Ku Band Mixer, Detector, Modulator Applications
大 小：63K
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