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详细参数
型号:ZXTD09N50DE6TA
类别:晶体管(BJT) - 阵列
制造商:Diodes Inc
封装:SOT-23-6
描述:TRANS NPN DUAL LOSAT 50V SOT23-6
系列:-
晶体管类型:2 NPN(双)
电流_集电极333Ic444111最大222:1A
电压_集电极发射极击穿111最大222:50V
IbeeeIc条件下的Vce饱和度111最大222:270mV @ 50mA,1A
电流_集电极截止111最大222:10nA
在某IceeeVce时的最小直流电流增益333hFE444:200 @ 500mA,2V
功率_最大:1.1W
频率_转换:215MHz
安装类型:表面贴装
封装__外壳:SOT-23-6
供应商设备封装:SOT-23-6
包装:剪切带 (CT)
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厂 商:DIODES [ DIODES INCORPORATED ]
描 述:DUAL 20V PNP LOW SATURATION SWITCHING TRANSISTOR
大 小:199K
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查询更多ZXTD718MC供应信息         发布时间:1970/1/1 8:00:00

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