型号:ZXMN6A11DN8TA
类别:FET - 阵列
制造商:Diodes Inc
封装:8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
描述:MOSFET 2N-CH 60V 2.7A 8-SOIC
系列:-
FET型:2 个 N 沟道(双)
FET特点:逻辑电平门
漏极至源极电压333Vdss444:60V
电流_连续漏极333Id4440a025000C:2.5A
开态Rds111最大2220a0IdwwwwVgs0a025000C:120 毫欧 @ 2.5A,10V
Id时的Vgs333th444111最大222:1V @ 250µA
闸电荷333Qg4440a0Vgs:5.7nC @ 10V
输入电容333Ciss4440a0Vds:330pF @ 40V
功率_最大:1.25W
安装类型:表面贴装
封装__外壳:8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
供应商设备封装:8-SO
包装:剪切带 (CT)
厂 商:ZETEX [ ZETEX SEMICONDUCTORS ]
描 述:60V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET
大 小:806K