型号:ZXMN6A09DN8TC
类别:FET - 阵列
制造商:Diodes Inc
封装:8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
描述:MOSFET DUAL N-CHAN 60V 8SOIC
系列:-
FET型:2 个 N 沟道(双)
FET特点:逻辑电平门
漏极至源极电压333Vdss444:60V
电流_连续漏极333Id4440a025000C:4.3A
开态Rds111最大2220a0IdwwwwVgs0a025000C:40 毫欧 @ 8.2A,10V
Id时的Vgs333th444111最大222:3V @ 250µA
闸电荷333Qg4440a0Vgs:24.2nC @ 5V
输入电容333Ciss4440a0Vds:1407pF @ 40V
功率_最大:1.25W
安装类型:表面贴装
封装__外壳:8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
供应商设备封装:8-SOP
包装:带卷 (TR)
厂 商:ZETEX [ ZETEX SEMICONDUCTORS ]
描 述:DUAL 60V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET
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