型号：ZXMN3F31DN8TA
类别：FET - 阵列
制造商：Diodes Inc
封装：8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
描述：MOSFET N-CHAN 30V 8SOIC DUAL
系列：-
FET型：2 个 N 沟道（双）
FET特点：逻辑电平门
漏极至源极电压333Vdss444：30V
电流_连续漏极333Id4440a025000C：5.7A
开态Rds111最大2220a0IdwwwwVgs0a025000C：24 毫欧 @ 7A，10V
Id时的Vgs333th444111最大222：3V @ 250µA
闸电荷333Qg4440a0Vgs：12.9nC @ 10V
输入电容333Ciss4440a0Vds：608pF @ 15V
功率_最大：1.25W
安装类型：表面贴装
封装__外壳：8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
供应商设备封装：8-SOP
包装：带卷 (TR)
厂 商：ZETEX [ ZETEX SEMICONDUCTORS ]
描 述：30V SO8 dual N-channel enhancement mode MOSFET
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