型号:ZXMN10A08DN8TC
类别:FET - 阵列
制造商:Diodes Inc
封装:8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
描述:MOSFET N-CHAN 100V 8SOIC
系列:-
FET型:2 个 N 沟道(双)
FET特点:逻辑电平门
漏极至源极电压333Vdss444:100V
电流_连续漏极333Id4440a025000C:1.6A
开态Rds111最大2220a0IdwwwwVgs0a025000C:250 毫欧 @ 3.2A,10V
Id时的Vgs333th444111最大222:2V @ 250µA
闸电荷333Qg4440a0Vgs:7.7nC @ 10V
输入电容333Ciss4440a0Vds:405pF @ 50V
功率_最大:1.25W
安装类型:表面贴装
封装__外壳:8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
供应商设备封装:8-SOP
包装:带卷 (TR)
厂 商:BYCHIP [ BYCHIP ]
描 述:N+N沟道 SOP8 100V 200MR
大 小:749K