型号：ZXMHC10A07N8TC
类别：FET - 阵列
制造商：Diodes Inc
封装：8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
描述：MOSFET H-BRIDGE COMPL 8-SOIC
系列：-
FET型：2 个 N?通道和 2 个 P 通道（H 桥）
FET特点：标准
漏极至源极电压333Vdss444：100V
电流_连续漏极333Id4440a025000C：800mA，680mA
开态Rds111最大2220a0IdwwwwVgs0a025000C：700 毫欧 @ 1.5A，10V
Id时的Vgs333th444111最大222：4V @ 250µA
闸电荷333Qg4440a0Vgs：2.9nC @ 10V
输入电容333Ciss4440a0Vds：138pF @ 60V
功率_最大：870mW
安装类型：表面贴装
封装__外壳：8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
供应商设备封装：8-SOP
包装：带卷 (TR)
厂 商：ZETEX [ ZETEX SEMICONDUCTORS ]
描 述：COMPLEMENTARY 30V ENHANCEMENT MODE MOSFET H-BRIDGE
大 小：292K
QQ：5645336 复制
