型号:ZXMHC3A01N8TC
类别:FET - 阵列
制造商:Diodes Inc
封装:8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
描述:MOSFET H-BRIDGE COMPL 8-SOIC
系列:-
FET型:2 个 N?通道和 2 个 P 通道(H 桥)
FET特点:逻辑电平门
漏极至源极电压333Vdss444:30V
电流_连续漏极333Id4440a025000C:2.17A,1.64A
开态Rds111最大2220a0IdwwwwVgs0a025000C:125 毫欧 @ 2.5A,10V
Id时的Vgs333th444111最大222:3V @ 250µA
闸电荷333Qg4440a0Vgs:3.9nC @ 10V
输入电容333Ciss4440a0Vds:190pF @ 25V
功率_最大:870mW
安装类型:表面贴装
封装__外壳:8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
供应商设备封装:8-SOP
包装:带卷 (TR)
厂 商:DIODES [ DIODES INCORPORATED ]
描 述:30V SO8 Complementary enhancement mode MOSFET H-Bridge
大 小:744K