型号:ZXMD65P02N8TA
类别:FET - 阵列
制造商:Diodes Inc
封装:8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
描述:MOSFET 2P-CH 20V 5.1A 8-SOIC
系列:-
FET型:2 个 P 沟道(双)
FET特点:标准
漏极至源极电压333Vdss444:20V
电流_连续漏极333Id4440a025000C:4A
开态Rds111最大2220a0IdwwwwVgs0a025000C:50 毫欧 @ 2.9A,4.5V
Id时的Vgs333th444111最大222:700mV @ 250µA
闸电荷333Qg4440a0Vgs:20nC @ 4.5V
输入电容333Ciss4440a0Vds:960pF @ 15V
功率_最大:1.25W
安装类型:表面贴装
封装__外壳:8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
供应商设备封装:8-SO
包装:剪切带 (CT)
厂 商:ZETEX [ ZETEX SEMICONDUCTORS ]
描 述:DUAL 20V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET
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