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详细参数

型号：ZXMD63C02XTA

类别：FET - 阵列

制造商：Diodes Inc

封装：8-TSSOP，8-MSOP（0.118"，3.00mm 宽）

描述：MOSFET N+P 20V 1.7A 8-MSOP

系列：-

FET型：N 和 P 沟道

FET特点：逻辑电平门

漏极至源极电压333Vdss444：20V

电流_连续漏极333Id4440a025000C：2.4A，1.7A

开态Rds111最大2220a0IdwwwwVgs0a025000C：130 毫欧 @ 1.7A，4.5V

Id时的Vgs333th444111最大222：700mV @ 250µA

闸电荷333Qg4440a0Vgs：6nC @ 4.5V

输入电容333Ciss4440a0Vds：350pF @ 15V

功率_最大：1.04W

安装类型：表面贴装

封装__外壳：8-TSSOP，8-MSOP（0.118"，3.00mm 宽）

供应商设备封装：8-MSOP

包装：剪切带 (CT)

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厂商：ZETEX [ ZETEX SEMICONDUCTORS ]

描述：SOT23 N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE VERTICAL D MOSFET

大小：86K

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