型号：ZXMD63C02XTA
类别：FET - 阵列
制造商：Diodes Inc
封装：8-TSSOP，8-MSOP（0.118"，3.00mm 宽）
描述：MOSFET N+P 20V 1.7A 8-MSOP
系列：-
FET型：N 和 P 沟道
FET特点：逻辑电平门
漏极至源极电压333Vdss444：20V
电流_连续漏极333Id4440a025000C：2.4A，1.7A
开态Rds111最大2220a0IdwwwwVgs0a025000C：130 毫欧 @ 1.7A，4.5V
Id时的Vgs333th444111最大222：700mV @ 250µA
闸电荷333Qg4440a0Vgs：6nC @ 4.5V
输入电容333Ciss4440a0Vds：350pF @ 15V
功率_最大：1.04W
安装类型：表面贴装
封装__外壳：8-TSSOP，8-MSOP（0.118"，3.00mm 宽）
供应商设备封装：8-MSOP
包装：剪切带 (CT)
厂 商：ZETEX [ ZETEX SEMICONDUCTORS ]
描 述：SOT23 N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE VERTICAL D MOSFET
大 小：86K
