型号:ZXMD63C02XTA
类别:FET - 阵列
制造商:Diodes Inc
封装:8-TSSOP,8-MSOP(0.118",3.00mm 宽)
描述:MOSFET N+P 20V 1.7A 8-MSOP
系列:-
FET型:N 和 P 沟道
FET特点:逻辑电平门
漏极至源极电压333Vdss444:20V
电流_连续漏极333Id4440a025000C:2.4A,1.7A
开态Rds111最大2220a0IdwwwwVgs0a025000C:130 毫欧 @ 1.7A,4.5V
Id时的Vgs333th444111最大222:700mV @ 250µA
闸电荷333Qg4440a0Vgs:6nC @ 4.5V
输入电容333Ciss4440a0Vds:350pF @ 15V
功率_最大:1.04W
安装类型:表面贴装
封装__外壳:8-TSSOP,8-MSOP(0.118",3.00mm 宽)
供应商设备封装:8-MSOP
包装:剪切带 (CT)
厂 商:ZETEX [ ZETEX SEMICONDUCTORS ]
描 述:20V DUAL N AND P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET
大 小:330K