型号：ZXMC10A816N8TC
类别：FET - 阵列
制造商：Diodes Inc
封装：8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
描述：MOSFET DUAL COMPL 100V 8-SOIC
系列：-
FET型：N 和 P 沟道
FET特点：逻辑电平门
漏极至源极电压333Vdss444：100V
电流_连续漏极333Id4440a025000C：2A
开态Rds111最大2220a0IdwwwwVgs0a025000C：230 毫欧 @ 1A，10V
Id时的Vgs333th444111最大222：3V @ 250µA
闸电荷333Qg4440a0Vgs：9.2nC @ 10V
输入电容333Ciss4440a0Vds：497pF @ 50V
功率_最大：1.8W
安装类型：表面贴装
封装__外壳：8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
供应商设备封装：8-SOP
包装：Digi-Reel®
厂 商：ZETEX [ ZETEX SEMICONDUCTORS ]
描 述：30V SO8 Complementary dual enhancement mode MOSFET
大 小：359K
