型号:ZXMC3AMCTA
类别:FET - 阵列
制造商:Diodes Inc
封装:8-WDFN 裸露焊盘
描述:MOSFET N+P 30V 2.9A/2.1A DFN
系列:-
FET型:N 和 P 沟道
FET特点:逻辑电平门
漏极至源极电压333Vdss444:30V
电流_连续漏极333Id4440a025000C:2.9A,2.1A
开态Rds111最大2220a0IdwwwwVgs0a025000C:120 毫欧 @ 2.5A,10V
Id时的Vgs333th444111最大222:3V @ 250µA
闸电荷333Qg4440a0Vgs:3.9nC @ 10V
输入电容333Ciss4440a0Vds:190pF @ 25V
功率_最大:1.5W
安装类型:表面贴装
封装__外壳:8-WDFN 裸露焊盘
供应商设备封装:8-DFN(3x2)
包装:剪切带 (CT)
厂 商:ZETEX [ ZETEX SEMICONDUCTORS ]
描 述:SOT23 N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE VERTICAL D MOSFET
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