型号:ZXMC3A18DN8TA
类别:FET - 阵列
制造商:Diodes Inc
封装:8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
描述:MOSFET N-CH/P-CH 30V 8-SOIC
系列:-
FET型:N 和 P 沟道
FET特点:逻辑电平门
漏极至源极电压333Vdss444:30V
电流_连续漏极333Id4440a025000C:5.8A,4.8A
开态Rds111最大2220a0IdwwwwVgs0a025000C:25 毫欧 @ 5.8A,10V
Id时的Vgs333th444111最大222:1V @ 250µA
闸电荷333Qg4440a0Vgs:36nC @ 10V
输入电容333Ciss4440a0Vds:1800pF @ 25V
功率_最大:1.25W
安装类型:表面贴装
封装__外壳:8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
供应商设备封装:8-SO
包装:剪切带 (CT)
厂 商:ZETEX [ ZETEX SEMICONDUCTORS ]
描 述:COMPLEMENTARY 30V ENHANCEMENT MODE MOSFET
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