型号:ZXMC10A816N8TC
类别:FET - 阵列
制造商:Diodes Inc
封装:8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
描述:MOSFET DUAL COMPL 100V 8-SOIC
系列:-
FET型:N 和 P 沟道
FET特点:逻辑电平门
漏极至源极电压333Vdss444:100V
电流_连续漏极333Id4440a025000C:2A
开态Rds111最大2220a0IdwwwwVgs0a025000C:230 毫欧 @ 1A,10V
Id时的Vgs333th444111最大222:3V @ 250µA
闸电荷333Qg4440a0Vgs:9.2nC @ 10V
输入电容333Ciss4440a0Vds:497pF @ 50V
功率_最大:1.8W
安装类型:表面贴装
封装__外壳:8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
供应商设备封装:8-SOP
包装:Digi-Reel®
厂 商:DIODES [ DIODES INCORPORATED ]
描 述:100V SO8 Complementary Dual enhancement mode MOSFET
大 小:193K