型号:ZXM66P02N8TA
类别:FET - 单
制造商:Diodes Inc
封装:8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
描述:MOSFET P-CH 20V 8A 8-SOIC
系列:-
FET型:MOSFET P 通道,金属氧化物
FET特点:标准
漏极至源极电压333Vdss444:20V
电流_连续漏极333Id4440a025000C:6.4A
开态Rds111最大2220a0IdwwwwVgs0a025000C:25 毫欧 @ 3.2A,4.5V
Id时的Vgs333th444111最大222:700mV @ 250µA
闸电荷333Qg4440a0Vgs:43.3nC @ 4.5V
输入电容333Ciss4440a0Vds:2068pF @ 15V
功率_最大:1.56W
安装类型:表面贴装
封装__外壳:8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
供应商设备封装:8-SO
包装:Digi-Reel®
厂 商:ZETEX [ ZETEX SEMICONDUCTORS ]
描 述:20V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET
大 小:50K