型号:VT6X1T2R
类别:晶体管(BJT) - 阵列
制造商:Rohm Semiconductor
封装:6-SMD
描述:TRANS NPN 20V 200MA VMT6
系列:-
晶体管类型:2 NPN(双)
电流_集电极333Ic444111最大222:200mA
电压_集电极发射极击穿111最大222:20V
IbeeeIc条件下的Vce饱和度111最大222:300mV @ 10mA,100mA
电流_集电极截止111最大222:-
在某IceeeVce时的最小直流电流增益333hFE444:120 @ 1mA,2V
功率_最大:150mW
频率_转换:400MHz
安装类型:表面贴装
封装__外壳:6-SMD
供应商设备封装:VMT6
包装:带卷 (TR)
厂 商:VISHAY [ Vishay Siliconix ]
描 述:Dual Low-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier
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