型号:US6M11TR
类别:FET - 阵列
制造商:Rohm Semiconductor
封装:6-TSSOP,SC-88,SOT-363
描述:MOSFET N/P-CH 20V 1.5A TUMT6
系列:-
FET型:N 和 P 沟道
FET特点:逻辑电平门
漏极至源极电压333Vdss444:20V,12V
电流_连续漏极333Id4440a025000C:1.5A,1.3A
开态Rds111最大2220a0IdwwwwVgs0a025000C:180 毫欧 @ 1.5A,4.5V
Id时的Vgs333th444111最大222:1V @ 1mA
闸电荷333Qg4440a0Vgs:1.8nC @ 4.5V
输入电容333Ciss4440a0Vds:110pF @ 10V
功率_最大:700mW
安装类型:表面贴装
封装__外壳:6-TSSOP,SC-88,SOT-363
供应商设备封装:UMT6
包装:带卷 (TR)
厂 商:MICROSEMI [ MICROSEMI CORPORATION ]
描 述:RECTIFIERS ASSEMBLIES
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