型号:US6M2TR
类别:FET - 阵列
制造商:Rohm Semiconductor
封装:6-SMD,扁平引线
描述:MOSFET N+P 20V 1.5A/1A TUMT6
系列:-
FET型:N 和 P 沟道
FET特点:标准
漏极至源极电压333Vdss444:30V,20V
电流_连续漏极333Id4440a025000C:1.5A,1A
开态Rds111最大2220a0IdwwwwVgs0a025000C:240 毫欧 @ 1.5A,4.5V
Id时的Vgs333th444111最大222:1.5V @ 1mA
闸电荷333Qg4440a0Vgs:2.2nC @ 4.5V
输入电容333Ciss4440a0Vds:80pF @ 10V
功率_最大:1W
安装类型:表面贴装
封装__外壳:6-SMD,扁平引线
供应商设备封装:TUMT6
包装:Digi-Reel®
厂 商:MICROSEMI [ MICROSEMI CORPORATION ]
描 述:RECTIFIERS ASSEMBLIES
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