型号：US6K1TR
类别：FET - 阵列
制造商：Rohm Semiconductor
封装：6-SMD，扁平引线
描述：MOSFET 2N-CH 30V 1.5A TUMT6
系列：-
FET型：2 个 N 沟道（双）
FET特点：逻辑电平门
漏极至源极电压333Vdss444：30V
电流_连续漏极333Id4440a025000C：1.5A
开态Rds111最大2220a0IdwwwwVgs0a025000C：240 毫欧 @ 1.5A，4.5V
Id时的Vgs333th444111最大222：1.5V @ 1mA
闸电荷333Qg4440a0Vgs：2.2nC @ 4.5V
输入电容333Ciss4440a0Vds：80pF @ 10V
功率_最大：1W
安装类型：表面贴装
封装__外壳：6-SMD，扁平引线
供应商设备封装：TUMT6
包装：带卷 (TR)
厂 商：MICROSEMI [ MICROSEMI CORPORATION ]
描 述：RECTIFIERS ASSEMBLIES
大 小：157K
QQ：5645336 复制
