型号:TT8M2TR
类别:FET - 阵列
制造商:Rohm Semiconductor
封装:8-TSST
描述:MOSFET N/P-CH 30V 2.5A TSST8
系列:-
FET型:N 和 P 沟道
FET特点:逻辑电平门
漏极至源极电压333Vdss444:30V,20V
电流_连续漏极333Id4440a025000C:2.5A
开态Rds111最大2220a0IdwwwwVgs0a025000C:90 毫欧 @ 2.5A,4.5V
Id时的Vgs333th444111最大222:1.5V @ 1mA
闸电荷333Qg4440a0Vgs:3.2nC @ 4.5V
输入电容333Ciss4440a0Vds:180pF @ 10V
功率_最大:1W
安装类型:表面贴装
封装__外壳:8-TSST
供应商设备封装:8-TSST
包装:带卷 (TR)
厂 商:ROHM [ Rohm ]
描 述:1.5V Drive Pch+Pch MOSFET
大 小:235K