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型号：  厂家：  批号：  封装：  精确搜索 
详细参数
型号：TPS1100D
类别：FET - 单
制造商：Texas Instruments
封装：8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
描述：MOSFET P-CH 15V 1.6A 8-SOIC
系列：-
FET型：MOSFET P 通道，金属氧化物
FET特点：逻辑电平门
漏极至源极电压333Vdss444：15V
电流_连续漏极333Id4440a025000C：1.6A
开态Rds111最大2220a0IdwwwwVgs0a025000C：180 毫欧 @ 1.5A，10V
Id时的Vgs333th444111最大222：1.5V @ 250µA
闸电荷333Qg4440a0Vgs：5.45nC @ 10V
输入电容333Ciss4440a0Vds：-
功率_最大：791mW
安装类型：表面贴装
封装__外壳：8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
供应商设备封装：8-SOIC
包装：管件
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TPS1608DC-222M PDF下载
厂 商：TOKEN [ Token Electronics Industry Co., Ltd. ]
描 述：TPSDC Chip Low DCR Power Inductors
大 小：442K
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查询更多TPS1608DC-222M供应信息         发布时间：2025/8/3 11:00:00
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