型号：TPS1100D
类别：FET - 单
制造商：Texas Instruments
封装：8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
描述：MOSFET P-CH 15V 1.6A 8-SOIC
系列：-
FET型：MOSFET P 通道，金属氧化物
FET特点：逻辑电平门
漏极至源极电压333Vdss444：15V
电流_连续漏极333Id4440a025000C：1.6A
开态Rds111最大2220a0IdwwwwVgs0a025000C：180 毫欧 @ 1.5A，10V
Id时的Vgs333th444111最大222：1.5V @ 250µA
闸电荷333Qg4440a0Vgs：5.45nC @ 10V
输入电容333Ciss4440a0Vds：-
功率_最大：791mW
安装类型：表面贴装
封装__外壳：8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
供应商设备封装：8-SOIC
包装：管件
厂 商：MURATA [ MURATA MANUFACTURING CO., LTD. ]
描 述：200W 3Ux4HP AC/DC CompactPCI
大 小：147K
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