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详细参数
型号:TPH4R606NH,L1Q
类别:FET - 单
制造商:Toshiba
封装:8-PowerVDFN
描述:MOSFET N CH 60V 32A 8-SOP ADV
系列:-
FET型:MOSFET N 通道,金属氧化物
FET特点:逻辑电平门
漏极至源极电压333Vdss444:60V
电流_连续漏极333Id4440a025000C:32A
开态Rds111最大2220a0IdwwwwVgs0a025000C:4.6 毫欧 @ 16A,10V
Id时的Vgs333th444111最大222:4V @ 500µA
闸电荷333Qg4440a0Vgs:49nC @ 10V
输入电容333Ciss4440a0Vds:3965pF @ 30V
功率_最大:63W
安装类型:表面贴装
封装__外壳:8-PowerVDFN
供应商设备封装:8-SOP 高级
包装:带卷 (TR)
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厂 商:TOPSTEK [ Topstek Inc. ]
描 述:Topstek Current Transducers
大 小:158K
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查询更多TPH40SS供应信息         发布时间:1970/1/1 8:00:00

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