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型号：  厂家：  批号：  封装：  精确搜索 
详细参数
型号：TPCS8004(TE12L,Q)
类别：FET - 单
制造商：Toshiba
封装：8-TSSOP（0.173"，4.40mm 宽）
描述：MOSFET N-CH 200V 1.3A 8TSSOP
系列：-
FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物
FET特点：逻辑电平门
漏极至源极电压333Vdss444：200V
电流_连续漏极333Id4440a025000C：1.3A
开态Rds111最大2220a0IdwwwwVgs0a025000C：800 毫欧 @ 600mA，10V
Id时的Vgs333th444111最大222：3.5V @ 1mA
闸电荷333Qg4440a0Vgs：12nC @ 10V
输入电容333Ciss4440a0Vds：380pF @ 10V
功率_最大：-
安装类型：表面贴装
封装__外壳：8-TSSOP（0.173"，4.40mm 宽）
供应商设备封装：8-TSSOP
包装：带卷 (TR)
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厂 商：Toshiba [ TOSHIBA ]
描 述：TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon P Channel MOS Type (U-MOSIII)
大 小：233K
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TMS320AV110PGW
T491U226K006AH
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TX2-LT-3V-1
TNETX3190PGN
TA35-CKDWF070C0
T495C226M016ATA350
T640
TMMH-116-01-F-D-RA
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经营业务:电阻电容、世界各名厂IC， 我们所销售产品涉及：ATMEL（爱特梅尔） STC单片机 ALTERA（阿特拉 ） 英特尔（Intel） 、德州仪器（TI） 、飞利浦（Philips） 、海力士（Hynix） 、美国仿真器件（ADI）、国际整流器（IR）、台湾硅成（ICSI）、三星（Samsung）、瑞萨（Renesas）、东芝（Toshiba）、意法（ST）、摩托罗拉（Motorola）、仙童（Fairchid）、美国美商半导体（AMD）、爱特梅尔（Atmel）、惠普（HP）、安捷伦（Agilent）、达拉斯（Dallas）、美信（Maxim）、纳斯达克（Altera）、赛普拉斯（CY）、日立（Hitachi）、Broadcom、Xilinx、哈利斯（Harrsi）、英赛尔（Intersil）、美国集成器件（IDT）、芯成（ISSI）、凌特（Linear）、美国LSI逻辑公司（LSI）、微芯（Microchip）、三菱（Mitsubishi）、美国国家半导体（NS）、日本冲电气（OKI）、Realtek、罗姆（Rohm）、三洋（Sanyo）、索尼（Sony）等…
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主营业务： 经营业务:电阻,电容、二三极管，晶振，世界各名厂IC， 模块， 我们所销售产品涉及：Xilinx、 ALTERA（阿特拉 ） 美国仿真器件（ADI）、Freescale(飞思卡尔） 英特尔（Intel） 、德州仪器（TI） 、飞利浦（Philips） 、海力士（Hynix） 、ATMEL（爱特梅尔） STC单片机 国际整流器（IR）、台湾硅成（ICSI）、三星（Samsung）、瑞萨（Renesas）、东芝（Toshiba）、意法（ST）、摩托罗拉（Motorola）、仙童（Fairchid）、美国美商半导体（AMD）、爱特梅尔（Atmel）、惠普（HP）、安捷伦（Agilent）、达拉斯（Dallas）、美信（Maxim）、纳斯达克（Altera）、赛普拉斯（CY）、日立（Hitachi）、Broadcom、哈利斯（Harrsi）、英赛尔（Intersil）、美国集成器件（IDT）、芯成（ISSI）、凌特（Linear）、美国LSI逻辑公司（LSI）、微芯（Microchip）、三菱（Mitsubishi）、美国国家半导体（NS）、日本冲电气（OKI）、Realtek、罗姆（Rohm）、三洋（Sanyo）、索尼（Sony）等…
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国外订购!分销世界名牌厂家生产的集成电路、二极管、三极管、IGBT、电容、电阻等各种电子元器件！为国内外电子终端客户和商贸客户提供优质的元器件配套服务。
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