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详细参数

型号：TL061ACD

类别：Linear - Amplifiers - Instrumentation, OP Amps, Buffer Amps

制造商：STMicroelectronics

封装：8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）

描述：IC OP AMP JFET SGL LO PWR 8-SOIC

系列：-

放大器类型：J-FET

电路数：1

输出类型：-

压摆率：3.5 V/µs

增益带宽积：1MHz

_3db带宽：-

电流_输入偏置：30pA

电压_输入失调：3000µV

电流_电源：200µA

电流_输出__通道：20mA

电压_电源qqq单__双333ttt444：6 V ~ 36 V，±3 V ~ 18 V

工作温度：0°C ~ 70°C

安装类型：表面贴装

封装__外壳：8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）

供应商器件封装：8-SO

包装：管件

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厂商：TI [ TEXAS INSTRUMENTS ]

描述：FIXED-RATIO N-P-N CURRENT MIRRORS

大小：238K

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经营业务:电阻电容、世界各名厂IC，我们所销售产品涉及：ATMEL（爱特梅尔） STC单片机 ALTERA（阿特拉）英特尔（Intel）、德州仪器（TI）、飞利浦（Philips）、海力士（Hynix）、美国仿真器件（ADI）、国际整流器（IR）、台湾硅成（ICSI）、三星（Samsung）、瑞萨（Renesas）、东芝（Toshiba）、意法（ST）、摩托罗拉（Motorola）、仙童（Fairchid）、美国美商半导体（AMD）、爱特梅尔（Atmel）、惠普（HP）、安捷伦（Agilent）、达拉斯（Dallas）、美信（Maxim）、纳斯达克（Altera）、赛普拉斯（CY）、日立（Hitachi）、Broadcom、Xilinx、哈利斯（Harrsi）、英赛尔（Intersil）、美国集成器件（IDT）、芯成（ISSI）、凌特（Linear）、美国LSI逻辑公司（LSI）、微芯（Microchip）、三菱（Mitsubishi）、美国国家半导体（NS）、日本冲电气（OKI）、Realtek、罗姆（Rohm）、三洋（Sanyo）、索尼（Sony）等…

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主营业务：经营业务:电阻,电容、二三极管，晶振，世界各名厂IC，模块，我们所销售产品涉及：Xilinx、 ALTERA（阿特拉）美国仿真器件（ADI）、Freescale(飞思卡尔）英特尔（Intel）、德州仪器（TI）、飞利浦（Philips）、海力士（Hynix）、ATMEL（爱特梅尔） STC单片机国际整流器（IR）、台湾硅成（ICSI）、三星（Samsung）、瑞萨（Renesas）、东芝（Toshiba）、意法（ST）、摩托罗拉（Motorola）、仙童（Fairchid）、美国美商半导体（AMD）、爱特梅尔（Atmel）、惠普（HP）、安捷伦（Agilent）、达拉斯（Dallas）、美信（Maxim）、纳斯达克（Altera）、赛普拉斯（CY）、日立（Hitachi）、Broadcom、哈利斯（Harrsi）、英赛尔（Intersil）、美国集成器件（IDT）、芯成（ISSI）、凌特（Linear）、美国LSI逻辑公司（LSI）、微芯（Microchip）、三菱（Mitsubishi）、美国国家半导体（NS）、日本冲电气（OKI）、Realtek、罗姆（Rohm）、三洋（Sanyo）、索尼（Sony）等…

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