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详细参数

型号：TK3A60DA(Q,M)

类别：FET - 单

制造商：Toshiba

封装：TO-220-3 整包

描述：MOSFET N-CH 600V 2.5A TO-220SIS

系列：-

FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物

FET特点：标准

漏极至源极电压333Vdss444：600V

电流_连续漏极333Id4440a025000C：2.5A

开态Rds111最大2220a0IdwwwwVgs0a025000C：2.8 欧姆 @ 1.3A，10V

Id时的Vgs333th444111最大222：4.4V @ 1mA

闸电荷333Qg4440a0Vgs：9nC @ 10V

输入电容333Ciss4440a0Vds：380pF @ 25V

功率_最大：30W

安装类型：通孔

封装__外壳：TO-220-3 整包

供应商设备封装：TO-220SIS

包装：管件

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厂商：EXTECH [ Extech Instruments Corporation. ]

描述：Electrical/HVAC MultiMeter Test Kits

大小：54K

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主营业务：经营业务:电阻,电容、二三极管，晶振，世界各名厂IC，模块，我们所销售产品涉及：Xilinx、 ALTERA（阿特拉）美国仿真器件（ADI）、Freescale(飞思卡尔）英特尔（Intel）、德州仪器（TI）、飞利浦（Philips）、海力士（Hynix）、ATMEL（爱特梅尔） STC单片机国际整流器（IR）、台湾硅成（ICSI）、三星（Samsung）、瑞萨（Renesas）、东芝（Toshiba）、意法（ST）、摩托罗拉（Motorola）、仙童（Fairchid）、美国美商半导体（AMD）、爱特梅尔（Atmel）、惠普（HP）、安捷伦（Agilent）、达拉斯（Dallas）、美信（Maxim）、纳斯达克（Altera）、赛普拉斯（CY）、日立（Hitachi）、Broadcom、哈利斯（Harrsi）、英赛尔（Intersil）、美国集成器件（IDT）、芯成（ISSI）、凌特（Linear）、美国LSI逻辑公司（LSI）、微芯（Microchip）、三菱（Mitsubishi）、美国国家半导体（NS）、日本冲电气（OKI）、Realtek、罗姆（Rohm）、三洋（Sanyo）、索尼（Sony）等…

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深圳市科恒伟业电子有限公司主营品牌：SIPEX西伯斯/MAXIM美国美信/ XILINX赛灵思/ NS国家半导体/ NXP恩智浦/TI/BB德州仪/器 ON安森美/ST意法/ CY 长运通 ALTERA/菜迪思半导体 AD亚德若半导体/ PHILIPS飞利浦/IR美国国际整流/器 VISHAY/威世/ROHM罗姆半导体/ ATMEL爱特梅尔/SAMSUNG三星/ INTEL英特尔/ NATIONAI美国国家半导体/ TOSHIBA东芝/ CHMC华越微 /INFINEON英飞凌/ NEC日电FAIRCHILD仙童 JRC日本无线电SMSC美国芯微科技REALTEK瑞昱半导体 (等系列高通芯片，如网卡等通讯产品成套IC元件均有热线：0755-36943622 主要经销的产品有:电源控制IC、MCU、通信IC、场效应管MOSFET、整流桥、IGBT等等。产品广泛用于工业控制、电源、UPS、家电、电脑、仪器仪表、通信网络设备、航空等行业。品种齐全，大批量的现货。、IDT、Sharp、OKI、Renesas、ROHM、Vishay等世界知名品牌IC，包括：单片机、存储器、电源器件、接口电路、运算放大器、模数/数模转换器、可编程逻辑器件、高频模块，光耦、二三极管、MOS管等

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