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详细参数
型号:TK100E06N1,S1X
类别:FET - 单
制造商:Toshiba
封装:TO-220-3
描述:MOSFET N CH 60V 100A TO-220
系列:-
FET型:MOSFET N 通道,金属氧化物
FET特点:标准
漏极至源极电压333Vdss444:60V
电流_连续漏极333Id4440a025000C:100A
开态Rds111最大2220a0IdwwwwVgs0a025000C:2.3 毫欧 @ 50A,10V
Id时的Vgs333th444111最大222:4V @ 1mA
闸电荷333Qg4440a0Vgs:140nC @ 10V
输入电容333Ciss4440a0Vds:10500pF @ 30V
功率_最大:255W
安装类型:通孔
封装__外壳:TO-220-3
供应商设备封装:TO-220-3
包装:管件
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厂 商:TOKO [ TOKO, Inc ]
描 述:LOW VOLTAGE COMPANDOR
大 小:127K
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经营业务:电阻电容、世界各名厂IC, 我们所销售产品涉及:ATMEL(爱特梅尔) STC单片机 ALTERA(阿特拉 ) 英特尔(Intel) 、德州仪器(TI) 、飞利浦(Philips) 、海力士(Hynix) 、美国仿真器件(ADI)、国际整流器(IR)、台湾硅成(ICSI)、三星(Samsung)、瑞萨(Renesas)、东芝(Toshiba)、意法(ST)、摩托罗拉(Motorola)、仙童(Fairchid)、美国美商半导体(AMD)、爱特梅尔(Atmel)、惠普(HP)、安捷伦(Agilent)、达拉斯(Dallas)、美信(Maxim)、纳斯达克(Altera)、赛普拉斯(CY)、日立(Hitachi)、Broadcom、Xilinx、哈利斯(Harrsi)、英赛尔(Intersil)、美国集成器件(IDT)、芯成(ISSI)、凌特(Linear)、美国LSI逻辑公司(LSI)、微芯(Microchip)、三菱(Mitsubishi)、美国国家半导体(NS)、日本冲电气(OKI)、Realtek、罗姆(Rohm)、三洋(Sanyo)、索尼(Sony)等…
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