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详细参数
型号:TJ50S06M3L(T6L1,NQ
类别:FET - 单
制造商:Toshiba
封装:TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63
描述:MOSFET P-CH 60V 50A DPAK-3
系列:-
FET型:MOSFET P 通道,金属氧化物
FET特点:逻辑电平门
漏极至源极电压333Vdss444:60V
电流_连续漏极333Id4440a025000C:50A
开态Rds111最大2220a0IdwwwwVgs0a025000C:13.8 毫欧 @ 25A,10V
Id时的Vgs333th444111最大222:3V @ 1mA
闸电荷333Qg4440a0Vgs:124nC @ 10V
输入电容333Ciss4440a0Vds:6290pF @ 10V
功率_最大:90W
安装类型:表面贴装
封装__外壳:TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63
供应商设备封装:DPAK+
包装:带卷 (TR)
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厂 商:VISAY [ Vishay Siliconix ]
描 述:Inductors Toroid, High Current
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