TE28F800B3BA110参数(2020年),TE28F800B3BA110中文资料,TE28F800B3BA110供应商,TE28F800B3BA110最新价格,TE28F800B3BA110货源信息,pdf资料【51电子网】

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详细参数

型号：TE28F128J3C150SL759

类别：存储器

制造商：Intel

封装：56-TFSOP（0.724"，18.40mm 宽）

描述：IC FLASH 128MBIT 150NS 56TSOP

系列：-

格式_存储器：闪存

存储器类型：StrataFlash? 闪存

存储容量：128M（16M x 8，8M x 16）

速度：150ns

接口：并联

电压_电源：2.7 V ~ 3.6 V

工作温度：-40°C ~ 85°C

封装__外壳：56-TFSOP（0.724"，18.40mm 宽）

供应商器件封装：56-TSOP

包装：托盘

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厂商：INTEL [ INTEL CORPORATION ]

描述：SMART 3 ADVANCED BOOT BLOCK 4-, 8-, 16-, 32-MBIT FLASH MEMORY FAMILY

大小：311K

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深圳市宏世佳电子科技有限公司

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TE28F800B3BA110

INTEL

2025+

3395

全新原装、公司现货热卖

深圳市诺洋电子科技有限公司

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现货，经销，配单。我司优势：XILINX ISSI NXP ALTERA ON ST TI TOSHIBA DS LT RENESAS NEC SILICON MAXIM 等

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INTEL

24+

27200

全新原装现货，原厂代理。

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TE28F800B3BA110

INTEL/英特尔

2024

26000

原装现货上海库存，欢迎咨询

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INTEL/英特尔

2024

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深圳市维基鸿电子有限公司

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经营业务:电阻电容、世界各名厂IC，我们所销售产品涉及：ATMEL（爱特梅尔） STC单片机 ALTERA（阿特拉）英特尔（Intel）、德州仪器（TI）、飞利浦（Philips）、海力士（Hynix）、美国仿真器件（ADI）、国际整流器（IR）、台湾硅成（ICSI）、三星（Samsung）、瑞萨（Renesas）、东芝（Toshiba）、意法（ST）、摩托罗拉（Motorola）、仙童（Fairchid）、美国美商半导体（AMD）、爱特梅尔（Atmel）、惠普（HP）、安捷伦（Agilent）、达拉斯（Dallas）、美信（Maxim）、纳斯达克（Altera）、赛普拉斯（CY）、日立（Hitachi）、Broadcom、Xilinx、哈利斯（Harrsi）、英赛尔（Intersil）、美国集成器件（IDT）、芯成（ISSI）、凌特（Linear）、美国LSI逻辑公司（LSI）、微芯（Microchip）、三菱（Mitsubishi）、美国国家半导体（NS）、日本冲电气（OKI）、Realtek、罗姆（Rohm）、三洋（Sanyo）、索尼（Sony）等…

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INTEL

21+

1220

原装现货热卖

汕头长荣电子商行

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RHRH

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21+

16000

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FSC PHI ONS TI BB NSC HIT NEC TOS OKI MOT AD MAXIM ST INTEL IDT 等具优势。用责任打造品牌

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INTEL

1506

原装正品！价格优势！

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经营业务: 我们所销售产品涉及：英特尔（Intel）、德州仪器（TI）、飞利浦（Philips）、海力士（Hynix）、美国仿真器件（ADI）、国际整流器（IR）、台湾硅成（ICSI）、三星（Samsung）、瑞萨（Renesas）、东芝（Toshiba）、意法（ST）、摩托罗拉（Motorola）、仙童（Fairchid）、美国美商半导体（AMD）、爱特梅尔（Atmel）、惠普（HP）、安捷伦（Agilent）、达拉斯（Dallas）、美信（Maxim）、纳斯达克（Altera）、赛普拉斯（CY）、日立（Hitachi）、Broadcom、Xilinx、哈利斯（Harrsi）、英赛尔（Intersil）、美国集成器件（IDT）、芯成（ISSI）、凌特（Linear）、美国LSI逻辑公司（LSI）、微芯（Microchip）、三菱（Mitsubishi）、美国国家半导体（NS）、日本冲电气（OKI）、Realtek、罗姆（Rohm）、三洋（Sanyo）、索尼（Sony）等…

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3560

只做原装正品

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TE28F800B3BA110

INTEL

24+

1000

【★★原装现货，价格优势！欢迎询购★★】

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TE28F800B3BA110

INTEL

23+

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