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型号：  厂家：  批号：  封装：  精确搜索 
详细参数
型号：SIR410DP-T1-GE3
类别：FET - 单
制造商：Vishay Siliconix
封装：PowerPAK? SO-8
描述：MOSFET N-CH D-S 20V PPAK 8SOIC
系列：TrenchFET®
FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物
FET特点：标准
漏极至源极电压333Vdss444：20V
电流_连续漏极333Id4440a025000C：35A
开态Rds111最大2220a0IdwwwwVgs0a025000C：4.8 毫欧 @ 20A，10V
Id时的Vgs333th444111最大222：2.5V @ 250µA
闸电荷333Qg4440a0Vgs：41nC @ 10V
输入电容333Ciss4440a0Vds：1600pF @ 10V
功率_最大：36W
安装类型：表面贴装
封装__外壳：PowerPAK? SO-8
供应商设备封装：PowerPAK? SO-8
包装：带卷 (TR)
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SiR410DP-T1-GE3 PDF下载
厂 商：EVERLIGHT [ EVERLIGHT ELECTRONICS CO., LTD ]
描 述：Chip Infrared LED With Right Angle Lens
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SI5332C-D-GM2R
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SE1222I000
SN75437N
SD103-002
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S9935VDC-068
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经营产品：IC、二极管、三极管、场效应管、可控硅、固定电阻器、微调电位器、电位器、电容器、继电器、压电陶瓷元件、石英晶体器件、声表面器件、开关、扬声器、扬声器配件、电子调谐器、连接器、保险丝、印刷线路板、显示屏、变压器、电源、传感器、电感器、变频器、逆变器、整流器、电子管、放大器、放电管、微波磁控管、光电子、电池、 天线、仪器 显周网站www.ezone24.com
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SIR410DP-T1-GE3
ON Semiconductor
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SIR410DP-T1-GE3
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销售电子物料:集成IC，单片机，存储器，桥堆，电源模块，连接器，继电器，二极管，三极管，可控硅，电感，电阻电容....
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