型号:SIHB12N60E-GE3
类别:FET - 单
制造商:Vishay Siliconix
封装:TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB
描述:MOSFET N CH 600V 12A TO263
系列:-
FET型:MOSFET N 通道,金属氧化物
FET特点:标准
漏极至源极电压333Vdss444:600V
电流_连续漏极333Id4440a025000C:12A
开态Rds111最大2220a0IdwwwwVgs0a025000C:380 毫欧 @ 6A,10V
Id时的Vgs333th444111最大222:4V @ 250µA
闸电荷333Qg4440a0Vgs:58nC @ 10V
输入电容333Ciss4440a0Vds:937pF @ 100V
功率_最大:147W
安装类型:表面贴装
封装__外壳:TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB
供应商设备封装:D2PAK
包装:散装
厂 商:VISHAY [ Vishay Siliconix ]
描 述:Gate Charge Improved Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC
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