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详细参数
型号:SI6913DQ-T1-E3
类别:FET - 阵列
制造商:Vishay Siliconix
封装:8-TSSOP(0.173",4.40mm 宽)
描述:MOSFET P-CH DUAL 12V 4.9A 8TSSOP
系列:TrenchFET®
FET型:2 个 P 沟道(双)
FET特点:逻辑电平门
漏极至源极电压333Vdss444:12V
电流_连续漏极333Id4440a025000C:4.9A
开态Rds111最大2220a0IdwwwwVgs0a025000C:21 毫欧 @ 5.8A,4.5V
Id时的Vgs333th444111最大222:900mV @ 400µA
闸电荷333Qg4440a0Vgs:28nC @ 4.5V
输入电容333Ciss4440a0Vds:-
功率_最大:830mW
安装类型:表面贴装
封装__外壳:8-TSSOP(0.173",4.40mm 宽)
供应商设备封装:8-TSSOP
包装:剪切带 (CT)
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厂 商:FAIRCHILD [ FAIRCHILD ]
描 述:Dual 30V N-Channel PowerTrench MOSFET
大 小:163K
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