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详细参数
型号:SUM40N02-12P-E3
类别:FET - 单
制造商:Vishay Siliconix
封装:TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB
描述:MOSFET N-CH D-S 20V D2PAK
系列:TrenchFET®
FET型:MOSFET N 通道,金属氧化物
FET特点:逻辑电平门
漏极至源极电压333Vdss444:20V
电流_连续漏极333Id4440a025000C:40A
开态Rds111最大2220a0IdwwwwVgs0a025000C:12 毫欧 @ 20A,10V
Id时的Vgs333th444111最大222:3V @ 250µA
闸电荷333Qg4440a0Vgs:12nC @ 4.5V
输入电容333Ciss4440a0Vds:1000pF @ 10V
功率_最大:3.75W
安装类型:表面贴装
封装__外壳:TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB
供应商设备封装:TO-263(D2Pak)
包装:带卷 (TR)
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厂 商:VISAY [ Vishay Siliconix ]
描 述:N-Channel 200-V (D-S) 175C MOSFET
大 小:40K
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